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61.
采用粉末微电极技术,通过循环伏安法对Ni(OH)2使用寿命的测定进行了研究.通过控制微电极孔穴深度,使电极过程不受液相扩散控制,从而提高了电极的充放电电流.在电极循环过程中,放电峰电流随着循环次数而变化,从而反映出电极的循环性能.在每次循环扫描过程中,充电深度达到75%,能够满足常规检测的要求.对含Co与不含Co两种Ni(OH)2的检测结果说明,Co有利于延长Ni(OH)2的寿命,这一点与已往的结论是相符的.应用这一技术,完成一次测试所需时间不到10h.这种方法对于研究Ni(OH)2掺杂元素对寿命的影响是非常快速而有效的.  相似文献   
62.
Fe-29wt%Ni合金超细微粒的压力效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用蒸发冷凝法,制备了不同平均粒径的Fe-29wt%Ni合金超细微粒.在不同压强下,将超细微粒压制成片和小圆环.随压强增大,马氏体体积分数和比饱和磁化强度σs明显增大,而矫顽力Ho呈线性下降.复数磁导率随压强变化而变化,其高频特性远优于块材料.压力效应与平均粒径d大小密切相关.  相似文献   
63.
本文研究了在PVA124存在下,钛(IV)与溴邻苯三酚红和罗丹明6G的协同显色反应,探讨了利用该反应分光光度法测定钛的最佳条件,在硫酸介质中,钛与溴邻苯三酚红和罗丹明6G形成红色配合物,其最大吸收波长λmax为560nm,表观摩尔吸光系数ε560为1.29×105L·mol-1cm-1,钛量在0-8μg/25ml范围内符合比耳定律。  相似文献   
64.
利用电子束辐照Fe-Cr-Mn(W,V)合金的结果表明,添加原子半径尺寸大的溶质元素W和V,可形成大量微细碳化物,增多相界面即增加基体中尾闾数目,能有效降低合金基体中点缺陷过饱和浓度,减少空洞肿胀;同时有利于形成高密度位错环,减少它们相互间的间距,缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程,导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少,进而抑制辐照诱起晶界偏析,提高合金γ相稳定性。  相似文献   
65.
对淬火及淬火后变形Fe-P-N合金在-50℃~350℃温度区的内耗进行了测量,并用TEM观察、分析了合金中的第二相.结果表明,在N的质量分数不超过0.003%和P的质量分数小于0.064%的实验条件下,合金的SKK峰与Snoek峰的峰高比(hSKK/hSs)和Cp-2/3呈线性关系;在Fe-P合金固溶体区中有FeP化合物存在.  相似文献   
66.
氟化物熔体中电解共沉积硼化钛的阴极过程   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用循环伏安法首次研究了LiF-NaF-K2TiF6-KBF4熔盐体系中钛离子和硼离子在铂、钼电极上电化学还原及电合成硼化钛的阴极过程机理。对恒电位电解的沉积物进行了X射线衍射分析。结果表明,当体系中硼钛摩尔比B/Ti大于2时,钛与硼可在同一电位下实现电解共沉积并反应生成硼化钛。  相似文献   
67.
报道了溴化十六烷基三甲胺CTMAB与乳剂OP共存时,在硫酸、盐酸介质中,用苯芴酮分光光度法测定铜合金中锡的研究.该混配颜色化合物的λmax 505nm,εmax 5.24×106 L·mol-1cm-1,锡的检量范围0~50μgmL-1,服从朗伯—比尔定律,具有较高的灵敏度、选择性,重现性、稳定性也较好,适用于工厂中铜合金锡的检测.  相似文献   
68.
提出了一种弱极化曲线测量数据计算机处理方法,并计算了55%Al-Zn-1.6%Si合金镀层在3%NaCl溶液中腐蚀过程的电化学参数,研究了镀件在3%NaCl溶液中发生整体腐蚀加速的机理.结果表明,镀层表面微电偶局部腐蚀的发展形成了基体钢与镀层金属的宏观电偶腐蚀,电偶电位Eg随时间的正移,使镀层金属的溶解电流密度迅速增大,钢基体受到的保护效应减小.  相似文献   
69.
本文采用XRD,TPR和以H2,CO为探针分子的TPD—MS,TPSR-MS技术研究了Ni-CU合金负载于氧化物SiO2,MgO和γ-Al2O3上的性质变化,以及对CO加氢反应性能的影响。实验结果表明,各种载体对于负载于其上的活性组分均具有良好的分散性能;SiO2对金属相的结构和电子状态不产生影响,而γ-Al2O3和MgO对金属相则有不同程度的影响,这种相互作用主要表现在活性组分对H2和CO吸附能力的变化和CO加氢的活性和选择性的变化上。  相似文献   
70.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备   总被引:2,自引:1,他引:2  
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到  相似文献   
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