PLD法制备BST薄膜及其介电性能研究

采用脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜;研究不同氧压下的BST薄膜的介电性能.结果表明,当沉积温度为680℃时不同氧压下的BST薄膜均择优(210)面取向生长;氧压为0.01Pa时取向因子稍大,为0.6637;当氧压从0.1 Pa变化到0.001 Pa时薄膜的平均粒径增大.介电常数增大.     

电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

采用电沉积方法,以ITO/TiO2薄膜为基底,在水体系中成功制备出ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜,通过光电流作用谱考查了该薄膜电极的光电性能。实验表明,电镀液的组成、实验温度可影响薄膜中CdS纳米粒子的生长,从而使不同条件获得的复合薄膜电极的光电转换效率不同,实验温度为40℃、电镀液的组成为CCd2 =0.02 mo.lL-1,CS2O23-=0.10 mo.lL-1,pH=2.0条件下沉积所得的ITO/TiO2/CdS薄膜电极,在400 nm~500 nm波长范围内具有较强的光吸收,也有较高的光电转换效率。     

射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和应力特性

用JGP560I型超高真空多功能磁控溅射仪在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。采用X-Ray衍射仪和电子薄膜应力分布测试仪等对其微结构和应力进行了测试分析。研究结果表明,ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向;随着薄膜厚度的增加,薄膜中的平均应力减少;膜厚为744 nm时平均应力、应力差均最小,分别为5.973×108Pa、6.159×108Pa,应力分布较均匀。     

影响圆盘剪带材剪切质量的因素分析

介绍了圆盘剪在设计、制造以及使用中影响圆盘剪精度的关键技术要点和主要技术参数：刀盘、侧隙、重叠量等,结合工作中的经验对圆盘剪关键点进行了分析和探讨,通过合理的设计、制造及使用方法使圆盘剪剪切出的带材质量合格、稳定,对相关设计、制造和使用具有积极的参考价值.     

Sn元素在磁控溅射Al-Fe-Sn合金薄膜结构变化中的作用

利用磁控溅射法制备了Al-Fe-Sn合金薄膜,并综合利用透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）和光电子能谱仪（XPS）等测试手段,获得了溅射态及550 ℃退火态Al-Fe-Sn合金薄膜的结构及成分信息,并在此基础上,对Sn元素在所制备出的Al-Fe合金薄膜中相变的作用提出了相关模型.在所采用的溅射工艺下,得到Sn在α-Al中的固溶体.在退火过程中,Sn首先会从Al基体中脱溶出来,在表面优先富集.当退火温度进一步升高至550 ℃时,在晶界处残余的Sn会重新固溶进入Al基体中,通过与Al原子结合对Al-Fe相的生成起到阻碍作用,并且使得扩散进入薄膜的Si与Fe结合,进而形成ε-FeSi相.     

甲胺磷农药降解菌的筛选鉴定及其降解效能研究

分别从黄冈棉田、荆州农田、沙市农药厂等长期受有机磷农药污染的不同环境土壤取样,通过富集培养,筛选分离到10株甲胺磷(MAP)降解菌.测定了各菌株的降解效能.选取降解效果较好的HS-A32菌株进行了初步研究.提取该菌总DNA进行16S rDNA PCR扩增、测序,BLAST检索及序列分析表明,HS-A32菌与不动杆菌的同源性为98%.结合生理生化实验结果,初步确定HS-A32菌为不动杆菌属(Acinetobacter).通过薄层色谱(TLC)及高效液相色谱(HPLC)对MAP降解进行了定性和定量分析.结果表明,该菌能以MAP作为唯一的碳源和氮源生长.接种该菌于500 mg/L的MAP无机盐液体培养基中,35℃、120 r/min振荡培养3 d,对甲胺磷降解率可达86%,是一株甲胺磷高效降解菌.     

薄板在不同媒质中振动及声辐射特性研究

根据薄板结构的形状特点,采用8个节点等参单元离散结构,对其周围的媒质采用20节点三维等参单元离散结构,建立薄板流固耦合系统模型及其声辐射模型.通过理论计算可知:在不同媒质(大气、煤油、水)中,媒质的密度越大,薄板结构的第一阶频率越小;薄板的各阶振型不受媒质密度影响,薄板各阶振型影响其声辐射效率;薄板的频率特性变化,薄板结构的声辐射特性也发生变化;薄板的厚度增加会降低结构振动基频.空气中薄板结构模态测试结果与考虑薄板周围媒质的影响薄板模态计算值一致.     

中频反应磁控溅射制备具有光致亲水性TiO2薄膜

采用中频反应磁控溅射方法在玻璃表面制备了TiO2薄膜,为使薄膜获得理想的化学配比和较高的沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法(Plasma Emission Monitor,PEM)对溅射过程进行控制。对部分样品进行了退火处理。利用台阶仪测膜厚,X射线衍射(XRD)对薄膜的沉积速率及结构进行测试分析,并对部分沉积态和经过热处理的薄膜样品进行了透光性测试和光照实验。研究了温度,PEM工作点等不同工艺条件对薄膜光致亲水性等性能的影响。部分薄膜经过1h左右的紫外光照射,得到了很好的亲水性效果,其表面的水接触角达到了小于1°的水平。     

基于正交试验改善锻轧异型铜带斜纹缺陷及工艺优化

采用锻轧法进行异型铜带生产时,受工艺设计因素影响,带材表面常存在锻压斜纹,会影响产品的力学性能和表面质量,造成产品的大量报废,严重影响生产效率和成品率,给企业带来较大损失。有效改善或消除锻压斜纹,对于产品品质的提升至关重要。通过生产实践验证,锻压斜纹深度大于0.05 mm时,后道工序无法将其消除。因此,以锻压斜纹深度作为检验指标,采用正交实验法对锻压关键工艺参数（锻压力A、步进速度B、锻压加工率C、锻压频次D）影响程度大小进行研究,得出各因素对铜带表面锻压斜纹影响的顺序为A=D>C>B。结果表明,锻压力为800 kN、锻压频次为850 Hz、锻压加工率为69%、步进速度为3.2 m/min时,锻压斜纹深度为0.02 mm,满足后续工艺要求。     

铜板带水平连铸生产工艺及铸坯缺陷探究

随着国民经济的持续快速发展,国内对铜合金带材的需求量也在逐年增加。水平连铸是目前生产铜及铜合金带材的重要工艺。主要从国内外水平连铸技术的发展历史、水平连铸设备、水平连铸的生产工艺流程、结晶器的基本结构和水平连铸的优点等方面对铜板带的水平连铸进行了论述与介绍。并且重点分析了铜合金板带坯在凝固过程中产生表面凹坑、气孔、晶粒不均匀、边部裂纹、反偏析、缩松等缺陷的原因,并提出了相应的改善措施,有效预防了缺陷的产生,提高了带材的成品率,延长了结晶器的使用寿命。并对铜板带水平连铸未来的发展趋势进行了展望。