单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

蜂窝材料面外受压时初始弹性失稳载荷的计算

本文通过对蜂窝材料结构的自重复特性的分析,合理地提出了非等壁厚蜂窝壁板的侧边条件,给出了求任意尺寸比的蜂窝材料面外受压时的初始弹性失稳载荷的理论算法,改变了以前求此失稳载荷只有经验公式的状况,为今后解决类似的空间自重复结构方面的问题打下了基础.     

气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究

本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。     

初始函数法在矩形厚板问题中的应用

本文采用初始函数法解各向同性板在均布载荷下的小变形问题,由于对应力和位移预先不作任何假设,故其结果精度较高。文中采用六阶控制方程对四边简支矩形板进行了分析,并与Reissner和经典理论所得结果进行了比较。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。     

薄膜1_4波片的设计和制作

本文报导了稜镜型1/4波片的设计和制备方法.在全反射条件下,用单层或多层电介质薄膜与稜镜匹配,可以实现单波长或宽波段的1/4波片.为了证实设计,给出单层膜的实验结果.     

用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性

本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。     

离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。