关于感生电场和库仑电场的讨论

通过剖析两个实例，讨论感生电场和库仑电场性质上的差异以及电压的定义问题，澄清对两种场认识上的一些误解．为进一步计算似稳电路打下了坚实的理论基础．     

数学规划模型的建模语言（FQL）

对数学规划模型的结构作了深入分析。从纵向揭示了数学规划模型自然、清晰的层次结构；横向又把复合模型分解成若干基本模型，而基本模型又可由决策用户十分熟悉的二维形式加以描述。在此基础上，给出了建模语言（ＦＱＬ）的语法和语义。它除了具有建模能力外，消除了代数形式的索引；更重要的是具有数据库查询和模型操作能力。     

Minkowski时空中的四维力

Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ时空中的四维力刘泽文（物理系）关键词：相对论／类时；类空；类光；四维力分类号：Ｏ４１２在Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ时空中，诸如四维电流密度Ｊ￣μ、粒子的四维加速度ω￣μ＝ｄＵ￣μ／ｄτ以及四维波矢Ｋ￣μ等向量，其类时、类空以及类光性质一般是...     

DNA和SDS介导钯卟啉室温磷光及磷光激发光谱分裂

利用室温磷光研究了钯卟啉 (Pd- TAPP)与 ct DNA及 SDS的相互作用特征。 SDS通过静电缔合及尾链保护增强 Pd- TAPP磷光强度 ;Pd- TAPP通过静电和疏水相互作用结合于 DNA的沟槽区 ,缔合常数为 4.37× 10 5L· m ol- 1 (bp)。平均一个钯卟啉分子与 4～ 5个核酸碱基对相互作用时 ,核酸表面的钯卟啉分子达到饱和 ;然后卟啉分子开始聚集组装 ,激子相互作用导致激发光谱分裂 ,聚集缔合常数为 0 .5× 10 5L· mol- 1 。     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

Poisson单和—类广义Poisson单的刻划

讨论了Ｐｏｉｓｓｏｎ单和一类广义Ｐｏｉｓｓｏｎ单的基本刻划问题。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.