展缩反演和半线性椭圆方程解的定性性质

用展缩和反演变换研究了某些半线性椭圆型方程解的单调性和对称性。     

关于Haken状态方程对称性问题的一个注记

研究了Ｈａｋｅｎ在发展协同计算机理论过程中构造的能量函数和状态方程的对称性，认为状态方程的非正则性是他的相变理论和与对称破缺相关的更一般的原因。     

用等势原理求解网络电阻

本文探讨了用等势原理来求解对称网络的电阻，从而引出短路法和断路法，讨论了两种方法的等效性．     

Higgs机制的历史发展研究

Ｈｉｇｇｓ真空对称性自发破缺的思想在现代物理学中占有十分重要的地位，本文揭示了这一重要思想是如何从固体物理研究中移植到粒子物理学中的；并成为粒子物理学的重要观念的，最后指出：这一思想的发展改变了人们对对称性探索的传统方式；以及我们应从Ｈｉｇｇｓ机制发展中所获得的启示。     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

Hall Effect in Quasicrystals

The relations between Hall effect and symmetry are discussed for all 2- and 3-dimensional quasicrystals with crystallographical|y forbidden symmetries. The results show that the numbers of independent components of the Hall coefficient (R11) are one for 3-dimensional quasicrystals, two for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is non-Abelian, and three for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is Abelian. respectively. The quasicrysta[s with the same number of independent components have the same form of the components of R11.     

几何学中的美学思想

运用数学美学的观点,发掘几何学中的美.阐明了几何学中的统一美、简洁美、对称美和奇异美的内涵及表现.几何学中的美是几何学理论自身发展进步和完善的一种动力.     

广义Chaplygin系统的Noether对称性

研究非完整系统广义Chaplygin方程的Noether对称性与守恒量.首先建立d'Alembert-Lagrange原理的广义Chaplygin形式.其次给出时间和广义坐标的无限小变换,研究这个原理在无限小变换下的变形形式,得到系统的广义Noether等式以及相应的守恒量,并举例说明结果的应用.     

一个定积分性质的应用和推广

本文叙述奇函数和偶函数在对称区问的定积分性质，并把这一性质推广到二重积分中去。     

RH-问题在特殊非正则情况下的一种求解方法

在文[1]基础上讨论了当R－问题正则，而H－问题非正则情况下的RH－问题求解方法，得到了一般解的显式及可解条件。