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1.
对用辅助球面法求相贯线问题作了较深入的研究,得到了沿某些方向相贯线上极限点与辅助球面半径大小的变化规律.从而解决了一些至今尚未解决的一部分立体的相贯线沿某些方向极限点的问题.文中分析并讨论了两立体相交的一些常见的特殊情况.  相似文献   
2.
一种基于熵的三维边界检测方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种基于指数特性的三维边界检测熵算子,通过局部窗口的熵来确定物体表面点位置,再通过窗口重心坐标确定表面方向,并给出了相应的快速算法,实验结果表明这种方法对三维医学图象是有效的。  相似文献   
3.
本文观察发初孵扬子锷胃粘膜表面及胃腺的形态,在扫描电镜下观察到,胃贲门具11-13个贲门瓣,贲门区及幽门及粘膜上皮凹稀而浅,胃体冲皮凹陷密而深,排列很规则。  相似文献   
4.
在将等斜率灰色聚类法应用于地面水环境质量评价的基础上提出了灰色聚类样点排序法,并用灰色聚类样点排序法对实例进行水环境质量评价比较,讨论了灰色聚类样点排序法在权重处理过程的可行性.认为灰色聚类样点排序法兼顾到1)各测点的实测污染浓度都在级别标准范围内较有规律地变化,各污染物的标准值之间差异不太大;2)污染物分布的离散度太大,各标准值之间差别也太大这两种情况.  相似文献   
5.
条形荷载作用下粘土边坡稳定特征数值分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
为分析坡顶条形荷载作用下的边坡稳定特征,运用有限元强度折减法,以均质粘土边坡为研究对象,在坡顶不同位置施加条形荷载,分析边坡稳定安全系数、坡体内最大剪应力、X方向最大位移以及潜在滑裂面位置4个指标的变化规律。结果表明,边坡稳定性与条形荷载值呈正相关,荷载距坡顶边缘越近,稳定性越差;坡体内最大剪应力、最大位移值与荷载值呈正相关,荷载离坡顶边缘较远时,最大剪应力出现在荷载右缘下方坡体中;坡顶边缘作用有大荷载时,坡体最大位移值增加较快;随着荷载向右移动,边坡潜在滑裂面也向右偏移。  相似文献   
6.
基于接触角法计算固体表面张力的研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
固体表面张力的测定始终是表面科学和工程领域中的热点问题。综述了Young方程推出以来基于接触角法计算固体表面张力的各种方法,分析了这些方法形成的假设条件及在计算固体表面张力时存在的问题,并介绍了该领域的最新研究成果,比较了不同方法计算固体表面张力的值的特点,最后指出当前研究尚存在的问题。  相似文献   
7.
为了探讨空间分数阶随机生长模型的动力学标度行为,利用Grümwald-Letnikov分数阶导数定义方法求解空间分数阶Edwards-Wilkinson(SFEW)方程在1+1维情况下的数值解,得到了在不同分数阶导数值时的生长指数、粗糙度指数、动力学指数和局域粗糙度指数,这些结果与标度分析得到的结果是一致的。研究结果表明SFEW模型没有出现奇异动力学行为,仍然遵守Family-Vicsek正常标度规律。同时结果也显示,非局域相互作用对SFEW方程的动力学标度行为有着显著的影响。  相似文献   
8.
以提高生漆的质量为目标,用专门配制的含磷、钾、硼、铜、镁等矿质元素和生长调节物质的"漆树营养液"对毛坝漆树进行喷施处理,观察漆树的生长情况并检测生漆质量.试验结果表明:①处理组较对照组漆树生长茂盛,树皮增厚,漆树落叶时间延长半个月左右,且无毒副作用;②处理组较对照组漆树所产生漆的漆酚、漆酶、树胶质等主要化学成分的含量增加;③处理组较对照组漆树所产生漆的感官检验指标明显改善;④处理组较对照组漆树所产生漆的表干时间缩短.其机理是施用"漆树营养液"后漆树的营养条件改善了,生漆的代谢合成能力增强了.施用"漆树营养液"可促进漆树生长并提高生漆质量.  相似文献   
9.
非均匀地表的湍流通量和掺混高度   总被引:1,自引:0,他引:1  
叙述了掺混高度的概念及运用。利用大涡模拟作为手段,研究了地表平坦但地表热通量非均匀情况下的掺混高度。考察了地表热通量非均匀性尺度、风速以及非均匀性强度对掺混高度的影响,发现掺混高度是否存在以及高度受非均匀尺度和风速大小的影响非常明显,受非均匀性强度的影响不明显。若规定掺混高度出现在垂直湍流热通量水平涨落的标准差减为地表感热通量标准差5%的高度,这时掺混高度可以拟合为:Zb = 1/Cwm * w'θ'sfc/Θ0 * Lahetero/Ub,其中a=1.266,b=0.854,Cwm=3.205×10-3。  相似文献   
10.
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.  相似文献   
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