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221.
采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.由实验得出膜厚d与溶液浓度C及提拉速度V的关系;给出了膜厚随其热处理温度的变化;并用扫描电镜对膜的表面结构进行了分析. 相似文献
222.
化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3~10μm可使模具寿命提高3~4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950~1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv(1)≈20000N/mm~2,基体尺寸变化在万分之五以内。 相似文献
223.
224.
研究了TlCaBaCuO超导体的制备工艺。对名义成分为Tl_5Ca_(3.8)Ba_(2.8)Cu_6O_z和TlCa_4Ba_3Cu_6O_z的两种配比,采用适当的烧结温度、时间以及冷却速度,都获得了零电阻转变温度为125K的超导体。 相似文献
225.
崔作林 《吉林大学学报(理学版)》1989,(4)
近年来,随着表面研究的发展,对吸附于金属表面的各种有机分子薄膜性质的研究受到了广泛重视。在这些研究中,首先涉及到有机分子在金属靶(即衬底)上的成膜及膜厚度的控制问题。有机分子在金属靶上的吸附成膜一般可分为物理和化学吸附两种。化学吸附作用比物理吸附作用强得多,它可导致被吸附分子及靶表面分子结构上的变化。在一般条件下,物理 相似文献
226.
本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2~3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3~4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300%,而钝化后的器件只增加了75%。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。 相似文献
227.
本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。 相似文献
228.
李永年 《华东理工大学学报(自然科学版)》1988,(3)
本文导出了计算文题膜厚的两个通用公式,并分析了影响参数。还提出了一个简易快速的计算方法;仅需在图表上查取至多5~6个数据并连乘起来就可得到油膜厚度值。 相似文献
229.
本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度的关系。 相似文献
230.
本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。 相似文献