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在系统温度为30℃时,对纯工质R12、R152a及五种R22组分浓度配比下R22/R152a非共沸混合工质,在水平单管外凝结换热特性进行实验研究。实验结果表明:(1)在五种R22组分浓度配比下R22/R152a混合工质的管外凝结换热系数均低于纯质R152a,但高于纯质R12;(2)对于光管,R22/R152a管外凝结换热系数是纯质R12的1.34 ̄1.43倍。低助管为1.15 ̄1.35倍、双侧强化 相似文献
176.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅 总被引:3,自引:0,他引:3
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。 相似文献
177.
光学介质膜在短型格兰.汤普逊棱镜中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种冰洲石晶体-光学介质膜结构的短型格兰.汤普逊棱镜设计,研究了全反射光在薄膜上的透射深度,以及透射深度与棱结构角和光波长的关系。 相似文献
178.
本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。 相似文献
179.
180.
将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。 相似文献