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31.
用高温固相反应法合成了(Sr1- x Mgx )2 P2O7 ∶Sn(3.3×10- 2 )和(Sr0.9Mg0.1 )2 P2O7 ∶xSn两个体系系列样品,在紫外线激发下,详细地测量了它们的发射光谱,讨论了Mg 含量对(Sr1- x Mgx )2P2O7 ∶Sn 和Sn 含量对(Sr0.9 Mg0.1 )2P2 O7 ∶xSn 体系发光性能的影响,认为(Sr0.9Mg0.1 )2P2O7 是Sn2+ 较好的一种基质材料.  相似文献   
32.
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法对长余辉荧光粉SrAl2O4:Eu2+,Dy3+表面包覆SiO2膜,并对膜层进行了耐水性、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和发光性能的测试.结果表明,样品被包覆致密的SiO2膜,耐水性也得到显著的提高.在纯水中,未包膜的样品2 h内完全水解,而包膜后的样品在10 h后pH值变化不大.同时,包覆的膜层对荧光粉的发光性能影响很小.  相似文献   
33.
采用化学共沉淀法和真空烧结工艺制备了尖晶石型锰锌铁氧体系列样品,研究了配方及烧结工艺对样品性能的影响。结果表明:样品在1370℃烧结能获得较好的磁性能;增加Fe2O3含量有利于提高饱和磁感应强度;在适当范围内增加ZnO含量有利于提高初始磁导率,但居里温度Tc随之下降;当Xzao=24%时,样品的磁导率μi=6369,饱和磁感应强度Bs=304mT,矫顽力Hc=4.3A/m。  相似文献   
34.
高温固相法合成Sr3 SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2 SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3 SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4:Eu2+杂质相的生成。  相似文献   
35.
采用固相烧结工艺,按不同配方分别制备了(LiFe)xZn1-2xFe2O4(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.45、0.5),用Agilent8510c矢量网络分析仪测试,在0.5~13GHz频段内材料的吸波性能.实验发现(LiFe)0.45Zn0.1Fe2O4有较强的吸波性能,然后再对(LiFe)0.45Zn0.1Fe2O4进行不同搀杂,并在0.5~18GHz频段内测试材料的吸波性能,发现掺入1wt%的Al2O3对增加-10dB带宽非常有效果.  相似文献   
36.
Sr对ZK60镁合金晶粒细化的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
用金相显微分析、扫描电镜分析及能谱分析等方法研究了Sr对ZK60镁合金晶粒细化的影响. 结果表明:添加少量的Sr对ZK60镁合金有很好的组织细化效果,但其细化效率受Sr加入量和熔体保温时间的影响较大. 在给定熔体保温时间的条件下,随着Sr质量分数从0.01%增加到0.1%,晶粒细化效率逐渐提高. 在给定Sr加入量的条件下,当熔体保温时间为20~80min时,晶粒细化效率随熔体保温时间的延长而提高;当熔体保温时间超过80min后,晶粒细化效率随熔体保温时间的延长而降低.  相似文献   
37.
系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。  相似文献   
38.
根据野外调查研究和145个样品的分析结果,讨论了浙西北中生代火山岩的基本特征,并在研究火山岩中微量元素组合、稀土元素分布和锶同位素组成的基础上得出如下结论:浙西北不同火山盆地和火山洼地中的酸性和中酸性火山岩的成岩机理基本相同,成岩物质主要来自硅铝壳,成岩温度为1020—1200℃。  相似文献   
39.
利用石墨炉原水吸收法直接测定了饱和盐水的微量锶,选择了各种试验条件,建立了一种准确快速测定微量锶的方法,测定一次盐水,二次盐水的变异系数分别为3.1%、2.5%,二次盐水的加标回收率在90.3-100.9%之间.  相似文献   
40.
测量了钛酸锶钡(Ba0.99Sr0.01TiO3)陶瓷在不同峰值方波电压作用下的脉冲反转信号.发现陶瓷中由于晶粒小,慢极化的反转速度快,使得慢电流峰值对应的时间几乎不随外加作用变化;而慢电容则随方波峰值电压的增大单调增加.  相似文献   
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