复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

射流侵彻陶瓷靶试验研究与工程计算模型

该文介绍了射流侵彻陶瓷靶的系统试验研究，全面地分析了射流侵彻陶瓷靶的规律和陶瓷靶抗射流侵彻机理，通过分析射流着靶速度和破甲速度的关系曲线，建立了射流着靶速度与破甲速度的力学模型和工程计算模型，提出了射流侵彻陶瓷靶的工程计算模型和陶瓷靶对断裂射流的干扰因子。     

带滞留时间的陶瓷生产线的提前/拖期排序研究

为实现JIT生产控制策略,讨论了陶瓷订单在带滞留时间的m台成型设备和1条窑炉组成的陶瓷生产线上,有共同交货期的提前/拖期间题,且其交货期也是优化对象,本文通过将原问题归结为业己解决的两个子问题而获解,在文章的最后给出了算例.     

新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷．该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成．研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构．测量了瓷体的电阻率．     

Application of ICP-MS trace element analysis in study of ancient Chinese ceramics

Chemical analysis plays a significant role in the study of ancient ceramics[1,2]. Most ancient Chinese kilns used clays mined from the local areas and differences in the geochemistry and mineralogy of these raw materials may be expected. The chemical composition of ceramics may also be influenced by production techniques, such as processing by washing and mixing of different sorts of raw materials. These may also vary from kiln to kiln and even change over time. Thus the raw materials and pro…     

硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度及性能的影响

采用固相法合成了系列掺硼SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。通过测试分析合成粉体的物相组成、激发光谱、发射光谱和余辉时间,研究了硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度与发光性能的影响。实验结果表明,添加硼一方面做为助熔剂可以降低合成温度,另一方面当硼摩尔分数小于30%时,增加硼含量可以延长余辉时间,但硼含量的变化对激发和发射光谱峰值没有明显影响。     

陶瓷ZrO2晶粒的透射电镜研究

运用透射电子显微镜中的暗场技术,观察和研究了陶瓷ZrO2多晶试样的晶粒形貌特征。在暗场像下能清楚观察到其晶粒呈六方片状,尺寸在305nm到410nm之间。与明场像相比,暗场像中晶粒的取向衬度更加明显,暗场技术是研究和观察多晶颗粒形态和尺寸的有力工具之一。     

微波介质陶瓷材料体系研究综述

介绍了微波介质陶瓷的应用及其性能要求,按照应用频域的不同,对微波介质陶瓷的材料体系进行分类讨论,将其划分为低频端、中频端以及高频端等三大类,指明了微波介质陶瓷低温烧结的发展方向,详尽叙述了低温烧结的Ca(Li1/3Nb2/3)O3-δ陶瓷的研究进展.     

3a0．6Sr0．4TiO3／MgO／Mg2SiO4复相陶瓷的制备与介电可调性能

采用标准电子陶瓷工艺，制备了Ba0．6Sr0．4TiO3／MgO／Mg2SiO4复相陶瓷（MgO和Mg2SiO4按相同重量加入），研究了MgO和Mg2SiO4含量对复相陶瓷微观结构、介电性能及介电可调性的影响．结果表明，随着MgO和Mg2SiO4含量的增加，陶瓷的晶粒尺寸略有增大，低频（100kHz）介电常数、介电损耗、介电可调度和介电常数温度系数降低．随着偏置电场的增强，介电常数降低，介电损耗变化不大（均在10^-3量级）．当MaO和Mg2SiO4的百分含量均为30％时，获得了室温介电常数为101．6、介电损耗为0．0017及1．79kV／mm偏置电场下介电可调度为12．19％、介电常数温度系数为0．009℃^-1的介电性能。