大功率锆钛酸铅压电陶瓷A位置换的研究

为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对锆钛酸铅压电陶瓷材料进行了A位置换的比较研究.实验结果表明:采用摩尔分数为5%的Sr进行A位置换,制备的陶瓷具有较低的介电损耗和较优的压电性能;而采用摩尔分数为5%的Ba置换,陶瓷则具有较大的介电损耗.采用摩尔分数为5%的Ba和5%的Sr的复合置换,陶瓷能获得较好的综合性能,其性能指标tajnδ,Qm,KP,d33和εr分别为0.47%,2 065,0.515,322 pC/N和1 470,适合于大功率器件的应用.     

激光陶瓷划片工艺研究

使用调Ｑ ＹＡＧ激光器对制作厚膜电路陶瓷基板的划片工艺进行了研究。通过对陶瓷的力学性质、划片机理和划片参数的理论推导，解决了该工艺的主要技术问题，实现了划线细、速度快、断面光滑和表面光洁的技术质量要求。     

用油包水型微乳液法制备超细硫酸钡颗粒

纳米颗粒的制备是一个重要的纳米技术。利用油包水型微乳液法成功制备了硫酸钡纳米颗粒。研究了表面活性剂种类、表面活性剂用量、反应物浓度对超细颗粒大小的影响。实验结果表明:微乳液法制备的纳米颗粒直径大约都在10～90nm之间,且分布窄,单分散性好。实验发现:使用TritonX-100(聚乙二醇辛基苯基醚)做表面活性剂比Tween80(聚环氧乙烷失水山梨醇单油酸酯)和Span80(失水山梨醇单油酸酯)合适;而且随着表面活性剂用量增加,超细硫酸钡直径变小,但随着反应物浓度的上升颗粒直径增大。最适工艺条件为:55mL环己烷/30mLTritonX-100/15mL正己醇/10mL0.1mol/L氯化钡溶液。     

Y-Ba-Cu-O系高临界温度超导陶瓷组成与性能关系的研究

研究了主组成及少量外加物对Y_xBa_(1-x)CuO_3系超导陶瓷导电性与超导电性的影响.研究表明,当配料组成Y∶Ba≈1∶2时最容易制取稳定的、零电阻为88K以上的高临界温度T_c的超导材料;采用Bi、Pb、Na、Co等对阳离子进行部分替位更换,仍能获得超导特性,但对T_c值没有改进;少量外加物对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系超导陶瓷的T_c值有明显的影响,微量钴离子的掺入可使T_c提高到110K,但掺入量较多时反使T_c降低.     

Application of Reaction-Bonded Silicon Carbide in Manufacturing of Spacecraft Combustion Chamber

Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resistance to thermal shock and high abrasion resistance. The silicon carbide ceramics material has so far been used widely for manufacturing various components such as heat exchangers, rolls, rockets combustion chamber. Sintering of ceramics structural parts have many technological method, the reac...     

新铁电陶瓷材料PZT热物理性能和相变的研究

采用日本制造的闪光法TLP－18型仪器和线差法的TMA－30型仪器分别测试了PZT（51／49）铁电陶瓷的导温系数和热膨胀系数,并研究了温度,相变,极化处理和晶轴对其物理性能的影响,结果表明,在相变发生时,热物理性能产生了突变;导温系数随着温度而增大,而热膨胀系数却随着温度升高而减小,这为铁电陶瓷材料的相变研究提供了重要的理论依据。     

0.95K0.47Na0.47Li0.06NbO3—0．05Ba（Zr1-xTix）O3陶瓷的压电铁电性能与微结构

采用传统陶瓷制备技术制备了新型的0.95K0.47Na0.47Li0.06NbO3-0．05Ba（Zr1-xTix）O3体系无铅压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能和微结构．研究结果表明,在1120℃、4h的烧结条件下,获得了致密性良好的陶瓷样品,并在x为0．95时性能达到最佳,其压电常数d33为133pC／N,机电耦合系数kp为0．34,机械品质因素Qm为148,介电常数εr为1138,介质损耗tanδ为0．017．     

Ca^2＋离子对Na扩散（Sr,Ca）TiO3系电容—压敏陶瓷结构与性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋离子（＜５０ｍｏｌ％）对Ｎａ扩散（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷结构与性能的影响。ＸＲＤ及ＩＲ吸收谱的实验结果表明，Ｃａ＾２＋离子的加入，使立方钙钛矿结构发生畸变。这些结构上的变化，使得当Ｃａ＾２＋离子含量增加时，晶粒电阻率上升，晶粒尺寸减小；在Ｃａ＾２＋离子的含量约小于３０ｍｏｌ％时，随Ｃａ＾２＋离子含量的增加，经Ｎａ扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加，压敏电压降低。尤其是     

压电陶瓷驱动梁的变形分析及试验研究

利用逆压电效应可以研制各种驱动器．将片状的压电陶瓷(PZT)作为驱动器，对称地粘贴到梁的上下表面，在极性相反的外部电场的作用下，使驱动构件发生弯曲变形．在推导了粘贴有PZT压电驱动片梁的弯曲应变分布表达式的基础上，通过分析驱动片的纵横应变分布，提出了用横向定向加固的方法使压电陶瓷驱动元件表现出明显的正交异性，从而提高了压电驱动的效率，最后通过实验进行了对比验证．     

黄色荧光粉Sr3SiO5:Eu2+相转变机理简

高温固相法合成Sr3 SiO5：Eu2＋过程中,杂质相Sr2 SiO4：Eu2＋的存在会不同程度影响Sr3 SiO5：Eu2＋的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5：Eu2＋,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5：Eu2＋在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明：原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4：Eu2＋的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4：Eu2＋的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5：Eu2＋的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4：Eu2＋杂质相的生成。