短波移动信道的仿真模型分析

在通信系统的研制和开发过程中,常常要考虑信道的传输特性,文中针对短波移动信道的特点,建立了小尺度衰落的短波移动信道的数学模型和计算机仿真模型,并对计算机仿真结果进行分析后,验证了该信道模型的可行性。该计算机仿真模型为比较各种抗多径衰落技术提供了一种有效的实验室仿真工具。     

低渗透油层单砂体建筑结构研究及剩余油挖潜

借助区域地质背景和岩心资料对研究区的沉积体系、沉积微相进行精细的研究,总结了研究区点坝和废弃河道的识别方法;通过现代沉积理论模型,根据夹层建筑结构的参数提取方法,利用已有资料,对研究区FⅠ71时间单元点坝参数进行提取;以单砂体内部三维非均质性为指导思想,结合点坝内部侧积体垂向和平面上的切叠模式,建立了三维储层模型,为更好地挖潜剩余油和更好地开采点坝砂体提供了新的理论指导。     

传输功率优化的莱斯信道多天线系统容量分析

对未知信道状态和已知信道状态下的莱斯信道多天线系统容量进行了理论分析,并采用蒙特卡罗方法进行了仿真,结果表明：在低信噪比情况下,当天线数目较小、视距分量较少;或者天线数目较大、视距分量较多时,采用传输功率优化策略较为合理。     

CMI编译码电路的设计

CMI(coded mark inversion,传号反转码)码是数字光纤通信传输码型中的一种。介绍了CMI的编译码原理,并用Pro-tel99软件对CMI码的编译码进行了电路设计,在此基础上用Multisim8软件做了仿真。     

渠道权力结构与责任成本分担下供应链质量及协调研究

责任成本分担合同已被供应链企业广泛采纳以降低产品安全事故.基于此,构建了一个由制造商与零售商组成的供应链博弈模型,在三种渠道权力结构下,研究了责任成本分担对制造商产品质量决策等的影响,并考察了渠道权力结构对供应链均衡结果及契约协调的影响.结果表明:若制造商为领导者,则其责任成本分担的增加不影响其产品质量与供应链企业利润,反之,将促进其产品质量与供应链企业利润的增加;制造商为领导者时的产品质量可达到供应链系统最优;领导权力可使制造商获得较大利润,但对零售商不一定适用;制造商为领导者时可通过零售商收益分享与制造商转移支付实现协调,反之,可通过一个相同的由制造商收益分享与零售商质量成本分担、转移支付构成的组合契约实现协调.     

噪声鲁棒变步长LMS算法及其在OFDM水声信道均衡中的应用

针对最小均方(least mean square, LMS)算法在低信噪比(signal to noise ratio, SNR)条件下性能较差的问题,提出一种噪声鲁棒变步长LMS(noise robust variable step-size LMS, NRVSLMS)算法。该算法通过结合改进的双sigmoid函数和误差信号自相关函数,在迭代过程中动态调整步长的大小,解决了传统LMS算法中收敛速度、跟踪性能和稳态性能互相矛盾的问题。理论分析和仿真结果表明,与其他变步长算法相比, NRVSLMS算法抗噪声能力强,具有良好的跟踪速度和稳态性能。将该算法应用于正交频分复用(orthogonal frequency division multiplexing, OFDM)水声信道均衡中,与现有LMS类自适应均衡方法相比,基于NRVSLMS算法的信道均衡方法能够显著降低系统误码率(bit error rate, BER)和均方误差(mean square error, MSE)。     

线上易获得性、感知奢侈价值与奢侈品消费

基于产品稀缺性理论和奢侈品感知价值理论,构建了线上易获得性、奢侈品感知价值与购买意愿关系的理论模型。实证结果发现,线上易获得性对奢侈品感知价值中的炫耀价值和独特价值产生显著的负向影响,而对感知质量、享乐价值和自我价值没有显著影响。同时,研究结果还发现,消费者对奢侈品的感知价值会显著影响购买意愿,感知炫耀价值和独特价值在线上易获得性对奢侈品购买意愿的影响中起中介作用。     

基于恒模特性的单通道时频重叠信号盲分离算法

针对单通道同调制方式、同调制参数时频重叠信号的盲分离问题,基于MSK信号的恒模特性,及对MSK混合信号分量幅度的准确估计,构建了单通道信号盲分离欠定方程组.为解决该方程组的解模糊问题,根据MSK信号相位连续特性,提出了相位方差最小模糊解消除准则.但相位对噪声较为敏感,该准则可能会产生严重的误判现象,又提出了一种基于最小斜率的补充准则.基于以上两种模糊解消除准则,可对单通道信号盲分离欠定方程组的模糊解进行合理选择,有效地实现了MSK时频重叠信号的单通道盲分离.仿真结果表明:在信噪比大于5 dB的条件下,该算法对混合信号具有较好的分离效果.并且该算法具有复杂度低、计算量小的优点.     

亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型

本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型．文章首先根据短沟道MOSFET在亚闽值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组．求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式．该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同．文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果．计算值与二维数值模拟值高度吻合．