光偏振态变换的群论描述:变换矩阵与群论的对应关系

讨论了无耗和部分损耗偏振光系统的3种计算方法--Jones矩阵、Mueller矩阵和Poincaré球与二维特殊酉SU(2)群、三维实特殊转动正交SO(3)群之间的对应关系,建立了二向色性或圆二向色性与Lorentz变换群之间的对应关系,说明了可用群论作为偏振光计算的基础.     

平行板电容器中介质的受力情况

从平行板电容器在充入介质前后场能的变化出发 ,利用虚功原理 ,得出了计算平行板电容器中介质受力的一种方法 ;又从电介质受力的微观机制出发 ,利用库仑定律 ,得出了计算介质受力的另一种方法     

质子射频场照射对~(13)C自旋晶格弛豫的影响

用扩展的Solomon方程描述1H受到射频 (RF)场照射时13 C的自旋晶格弛豫过程 .理论分析表明 ,在1H受到射频场照射时 ,13 C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程 ,但在特定实验条件下可以变为单指数过程 .数值模拟可显示出满足TC1TH1条件的13 C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13 C自旋晶格弛豫的影响 .通过实验观察固体L 缬氨酸的甲基13 C自旋晶格弛豫过程 ,测定相应的弛豫时间 .所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合 .     

简化密度矩阵重整化群方法对自旋阶梯的模拟

发展了简化的数值密度矩阵重化群方法，并用其对开放边界条件下反铁磁自旋阶梯模型进行模拟计算，得到好的基态能量。在不同链间交换与链内耦合强度比值下，计算了自旋能隙，拟合得到了自旋能隙对不同链间耦合强度与链内耦合强度比值的公式。     

偏光器件Jones矩阵的特征值和特征矢量

主要计算了一些常用偏振器件Jones矩阵的特征值和特征矢量，并指出了特征值和特征矢量的物理意义。     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

电子与原子碰撞中关联极化势研究

本文根据文献~([3])中提出的不含自由参数的新的关联极化势公式,对低能电子被氖和氩原子弹性散射的截面进行了计算,获得了相当满意的结果。     

卷弧翼身组合体的自滚转特性

介绍了卷弧翼身组合体自滚转特性的风洞试验研究.给出了测力试验和测压试验结果.测力试验结果表明,卷弧翼弹型存在自诱导滚转力矩.测压试验结果表明,卷弧翼弹型自诱导滚转力矩产生的原因在于,卷弧翼凹凸两面的压力不等,形成自诱导法向力.在同样相对厚度下,变厚度卷弧翼的载荷分布与等厚度卷弧翼的载荷分布相差很小,气动设计时可以不考虑厚度变化的影响。     

海森堡铁磁体表面自旋波

用格林函数运动方程方法研究了海森堡铁磁体表面自旋波谱．对简单立方结构的（００１）自由表面，给出了推迟格林函数的解析表达式和自旋波的色散关系．     

强关联体系中的自旋与电荷密度涨落的共存性

对于具有晶格结构的固体、利用在相对论狄喇克方程的非相对论极限下得到的电子自旋－轨道相互作用，推导出自旋涨落一声子相互作用。利用此相互作用推导出自旋磁化率、电荷极化率、声子格林函数的一组自洽方程。然后，又讨论了自旋和电荷密度涨落的共存性及其对高温超导的影响。