（Ga）12N,（Ga）12B荷电团簇的电子结构与磁性

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似（GGA）研究20面体（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道（HOMO）、最低未占据轨道（LUMO）及其能隙,分析了（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构（Ga）12B1＋荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.     

（Ga）12N,（Ga）12B荷电团簇的电子结构与磁性

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似（GGA）研究20面体（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道（HOMO）、最低未占据轨道（LUMO）及其能隙,分析了（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO...     

基于并行文件的分层Web服务器群

构建了并行文件Web服务器机群.该机群采用分层结构,每层节点均作为调度器(最后层除外)和数据服务器.各层节点对外提供数据服务,并根据预设的计量标尺判断数据服务是否过量,并将过量工作转移至下层节点.建立了基于ajax和vml技术的监控服务器,对所有节点性能进行实时监控.     

W_n与W_nN(n=1～5)团簇的结构与稳定性

用杂化密度泛函B3LYP方法结合6-311++G**和LANL2DZ赝势基组计算了Wn和WnN(n=1～5)团簇的稳定结构.讨论了纯Wn团簇和N原子掺杂到纯Wn团簇中后团簇构型的变化特点以及随着团簇尺寸的增加团簇结构及物理性质的变化规律.     

旋涂热解法制备高化学计量比的SnS薄膜

为制备高化学计量比的SnS薄膜,使用一种简单的旋涂热解法,在空气中以载玻片和FTO为衬底,在热解温度分别为280℃、320℃和360℃条件下制备了系列SnS薄膜,并采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis-NIR等手段研究了热解温度对SnS薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响。结果表明,在热解温度为320℃热解10min时,获得的SnS薄膜Sn/S的原子比为1/0.99,直接禁带宽度为1.46eV,十分接近太阳能电池吸收层的最佳禁带宽度1.50eV,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要潜在应用价值。     

NH4^＋（H2O）7的稳定结构及振动谱

采用密度泛函（DFT/B3LYP）和HF方法及6-31G（d）基组对由经验势模型寻找到的NH4＋（H2O）7的200个质子化氨水团簇的可能稳定结构进行优化和频率计算,然后,在B3LYP/6-31＋G＊水平上确定了该团簇23种能量较低且无虚频的稳定结构.比较这些异构体的几何构型与能量发现,最稳定结构是网状、能量较高对称立体性结构低1-2 Kcal/mol.在3 000 cm-1-4 000cm-1频率范围,分析了这些稳定结构的红外振动谱,发现每个谱峰都由多种振动模按不同的权重叠加而成.利用所得结构,还合成了轮廓与实验谱基本相符但谱峰位置略有蓝移的理论红外振动谱.     

二维晶格的重整化群变换

在二维无自交叉无规行走问题中,重整化群变换可由几率的性质直接写出。本文借助于二维Ising模型的严格解,将类似的变换与系统哈密顿的重整化群变换联系起来,其结果可用于二维自旋系统或二元合金有序-无序转变等Ising模型。     

港口群、产业群与城市群共生系统演化与培育

共生是社会经济系统中普遍存在的现象。从共生理论看,港口群、产业群、城市群复合系统中,共生单元是基础,共生环境是重要的外部条件,共生模式是关键;互惠共生模式是"三群"复合系统演化的方向和目标;竞合机制、自组织机制是"三群"复合系统协同发展的内在机制,耦合机制和集散机制成为"三群"复合系统协同发展的外在机制。整合港口资源,推进城镇化建设,强化产业群的支撑,培育共生环境等,可有效促进"三群"复合系统的共生演化。     

密度泛函研究Pb_(12)团簇的结构和电子性质

用密度泛函理论研究了Pb12团簇几种异构体的原子结构和电子性质,发现基态是形变二十面体笼结构,而完好的高对称性(Ih)二十面体结构是能量非常接近基态的亚稳态.高对称性团簇形成稀疏离散的电子态密度和大的电子能隙.     

铁磁体/共振隧穿二极管复合器件中的自旋注入研究

本文在共振遂穿二极管（RTD）的基础上引入自旋,研究了这种铁磁体（FM）/RTD复合结构中的自旋输运行为。结果表明：器件的自旋极化率随着费米能呈现类周期性振荡;这种振荡行为还与器件的尺寸有关系,随着RTD厚度减小,峰宽增大。该器件中的自旋极化率最大可达到近40%。器件的自旋相关电子输运行为还可以通过外加偏压进行调控。