The properties of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe： Cu buffer layers

CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers improve the back contact characteristic properties, the diode characteristics of the forward junction and the short-wave spectral response of the CdTe solar cells. The ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers affect the solar cell conversion efficiency and its fill factor.     

几种轻薄型服用保暖材料的性能研究

考察了几种熔喷保暖材料的透气率、克罗值、热导率、传导系数及顶破强力与其厚度及平方米克重之间的关系.结果显示材料的厚度对其透气性、保温性和顶破强力均有显著影响：材料的透气性随着厚度的增加,先增大后减小;保暖性随着厚度的增加而增加,到达一定值后基本保持不变;顶破强力随着厚度的增加而增加.材料的平方米克重与透气性及顶破强力之间无明显关系,而对材料的保暖性影响显著：材料的保暖性随材料的平方米克重先显著增加,之后基本不变.该结果对于保暖材料的选择和使用具有一定的指导作用.     

用于微型计算机的有源矩阵液晶显示器控制模块的设计

为了用ＴＦＴＡＭＬＣＤ作为微型计算机的监视器，根据目前ＴＦＴＡＭＬＣＤ屏的水平并基于ＣＧＡ的显示标准，设计了ＴＦＴＡＭＬＣＤ控制模块，该模块包括液晶显示控制器（ＬＣＤＣ）、编码电路、显存等几部分，它能够满足ＣＧＡ的所有标准，正确接收和支持ＣＰＵ指令，支持ＲＯＭ－ＢＩＯＳ例程；能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号，尤其是与ＣＲＴ不同的信号。测试结果表明，利用所设计的控制模块能够用ＴＦＴＡＭＬＣＤ取代ＣＲＴ终端，实现ＣＧＡ方式的显示。     

混合支撑载流条形薄板的非线性力学分析

在给出耦合场作用下载流条形薄板的磁弹性非线性运动方程、几何方程、物理方程和电动力学方程的基础上，通过变量代换，将描述载流薄板的磁弹性状态方程整理成含有10个基本未知函数的标准柯西（Cauchy）型；并通过差分法和准线性化方法，将标准柯西型的非线性偏微分方程组，变换成为能够用离散正交法编程求解的准线性微分方程组。通过具体算例，得到了固定简支混合支撑载流条形薄板的磁弹性麻力与变形的数值解。变换电磁参量讨论了固定简支混合支撑载流条形薄板的麻力及变形的变化规律，通过实例说明了通过变化电磁参量可实现对条形板的变形控制。     

基于两相流EWF模型的样品表面相变行为及液膜变化的CFD预测

提出了一种利用两相流Eulerian Wall Film ( EWF)模型和自定义结露量公式相结合来预测样品表面相变行为及液膜变化的方法。首先利用自搭建环境实验箱开展结露物理实验,并分别基于两相流EWF模型与单相流模型进行仿真实验。结果表明,相对于单相流模型,EWF模型因考虑了相变过程而能够更加精确地模拟样品表面相变行为。然后通过自定义公式计算所得结露量与实测结露量的对比,验证了所提出结露量公式的正确性。最后在模拟与实测的温湿度曲线以及结露量吻合较好的前提下,模拟了样品表面液膜变化过程,过程中液膜呈现的形态与物理实验中原位摄像系统捕捉到的液膜形态初步吻合。     

退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.     

PLD法制备纳米氧化锌薄膜

目的研究制备高质量的纳米ZnO薄膜的最佳方案。方法通过反应条件和工艺参数的控制,用PLD法制备纳米氧化锌薄膜,对所制备的纳米氧化锌薄膜进行XRD谱研究,采用原子显微镜观察其形貌并研究氧化锌薄膜的各种光学性质。结果在激光脉冲能量为150 mJ、氧气压为20Pa条件下制备出了高质量的c轴择优取向的纳米氧化锌薄膜。结论制备工艺参数的控制对其性质有着极其重要的影响。     

利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料

利用13．56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PEcVD)技术，高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si：H)薄膜，研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响，通过选择适当的沉积参数．得到了沉积速率为0．3～0．4nm／s的μc-Si：H薄膜材料．薄膜的暗电导为10^-7S／cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级．电导激活能为0．52eV左右．所得的μc-Si：H薄膜材料稳定性好，达到了器件级质量。     

红色有机薄膜电致发光器件

研制了三种以 8-羟基金属螯合物 Mq3(M=Al,Ga,In)为基质、DCJTB为掺杂剂的红色有机电致发光器件 ,对比了不同掺杂浓度下的 Mq3的光致发光光谱、电致发光的亮度 -电压、亮度 -电流关系 ,从光谱重叠、能级匹配角度分析了不同基质对发光效率及色度的影响     

Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜．薄膜的X射线衍射（XRD）分析表明样品具有较好的结晶性和良好的C轴取向．光致发光（PL）性能分析发现,分别在398nm和470nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同．通过分析表明,398nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生．