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941.
TPD:CuPcLB薄膜作为电子阻挡层被引入到ITO/TPD:CuPc/Alg:DCM1/Al电致发光器件中的PPV和Alq:DCM1层之间。不含任何TPD:CuPc层或仅含单层TPD:CuPc且在较高直流电压(≥8V)驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自PPV(513nm)和Al:DCM1(591nm)。相反,当含单层TPD:CuPc的器件在较低电压驱动下(<7V)或含双层TPD:CuPc的器件均具有591nm的发射峰值,这表明在此类器件中Al:DCM1作为电子转移型的发光层而TPD:CuPc则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱  相似文献   
942.
超疏水性透明涂层的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
就超疏水性透明涂层研究的理论发展和该领域近年来取得的一些重要研究成果进行评述,并扼要分析了该领域今后的发展方向.  相似文献   
943.
本文对用热力学方法研究薄膜形成过程中的核生长问题提出了补充性意见.认为在论及核对扩散原子的捕获频率时,应考虑到存在着瞄准因素。  相似文献   
944.
徐家围子断陷深层砂砾岩段是该区重要的目的储层,该类储层非均质性强、岩性复杂,常规测井响应曲线规律性差,难以准确识别储层岩性。本文利用地层微电阻率成像测井(FMI)资料,并充分结合岩心、薄片等信息,将研究区砂砾岩体典型岩石的FMI图像作为模板,总结相应的FMI图像特征,建立各种岩性在FMI图像上的识别模式,以此定性分析法指导其它井段的岩性识别。在实际应用中,利用砂砾岩体各种岩性的FMI图像识别模式,对研究区几口井目的层段进行了岩性识别,识别结果与岩心、薄片定名资料的符合率达82.4%。  相似文献   
945.
采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制作Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度对薄膜结构和性能影响.通过X-ray分析表明,在600℃退火时,PZT薄膜已形成钙钛矿相,且在(100)择优取向的LaNiO3底电极上制备得到了(100)择优取向的PZT薄膜.实验测得以LaNiO3为衬底上的PZT薄膜的剩余极化强度为Pr=26.83μC/cm2,矫顽场Ec=30.43 kV/cm,介电常数为ε=5509,介电损耗为0.203.  相似文献   
946.
薄膜线膨胀系数的一种精确测量方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
热膨胀系数(α)是衡量材料性能优劣的一个重要参数,但目前对薄膜试样热膨胀系数测量方法的文献报道较少.具体介绍一种采用热机械分析仪测量薄膜试样热膨胀系数的方法.在此基础上分析引起测量误差的原因,并通过参比铜箔对仪器进行了校正,获得仪器的修正参数.结果表明,通过校正消减了仪器自身热膨胀,能精确求出薄膜的热膨胀系数.  相似文献   
947.
将洁净的玻片,在以溶胶-凝胶法制备的TiO2胶体溶液中浸渍提拉成膜,再将组装纳米薄膜的玻片进行硅烷化处理.用傅里叶变换红外光谱、扫描电镜、荧光显微镜对样品进行表征.结果表明,带氨基或醛基的“手臂分子“可以固定在纳米薄膜组装的玻片上,并且荧光信号强于仅用硅烷化处理的玻片.本研究建立的芯片载体表面化学修饰方法有较高的效率,操作简便易行,具备广阔的应用前景.  相似文献   
948.
简要介绍了系统仿真的概念,结合利用软件FLUENT对簿膜工艺喷雾气流场进行流人本力学仿真的实例,介绍了建模、仿真的步骤.给出了详细的数学建模和几何建模的方法,最后给出了利用模型进行仿真的结果,并对仿真结果进行了分析.结果表明,系统仿真技术可以大大提高设计效率,降低设计成本,加深对工艺过程的理解,不失为一种新的研究方法.  相似文献   
949.
以量子Heisenberg模型为基础研究了磁性薄膜的热动力学性质. 采用变分累积展开方法,以图解方式给出了简立方格点上自旋为1/2的量子Heisenberg磁性薄膜不同晶面的热动力学性质. 计算临界约化温度、内能和比热到三级累积展开,分析不同晶面的临界约化温度随原子层数的变化,并对结果进行比较;同时比较和讨论了薄膜原子层数对不同晶面的内能和比热变化的影响.  相似文献   
950.
CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用硝酸磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响.结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现CdTe与金属背电极的欧姆接触.  相似文献   
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