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361.
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Al3 浓度增大时,晶体产生的张应力使晶格常数变大,衍射峰向小角度方向移动;相反,当Al3 浓度减小时,压应力使衍射峰向大角度方向移动. 相似文献
362.
采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明:退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~(4+)取代Sn~(2+)导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明:分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。 相似文献
363.
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ag/CoPt]n/Ag薄膜,并在600℃退火30min.结果表明,Ag掺杂厚度(x)对CoPt薄膜的结构和磁性影响很大.当Ag层厚度为0.5nm时,薄膜的垂直取向程度最高,其垂直矫顽力高达8.68×10^5A·m^-1而平行矫顽力仅为0.54×10^5A·m^-1.适当厚度的Ag不仅有利于薄膜的垂直取向,而且能降低晶粒间的交换耦合作用. 相似文献
364.
啤酒废水中含有大量的有机物,若不加治理直接外排,将导致地表水和地下水的污染。本文以自制的薄皮核桃壳活性炭为吸附剂,对啤酒厂发酵罐CIP清洗的废水进行吸附处理,以啤酒工业废水COD和DO的去除率为考核指标,通过单因素和正交试验,得到降低COD的最佳处理工艺参数为:活性炭与pH=8的啤酒工业废水以1∶20的料液比混合,室温下吸附20min,COD的去除率可达77.5%;降低DO的最佳处理工艺参数为:活性炭与pH=8的啤酒工业废水以1∶10的料液比混合,室温下吸附20min,DO的去除率可达90.0%。 相似文献
365.
采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜.系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响.结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度对薄膜的微结构有着很大的影响.在氩氧体积比6:1条件下制备的薄膜,经真空500℃退火后具... 相似文献
366.
张华锋 《科技情报开发与经济》2011,21(13):105-108
传统纸质图书的易读性强,适应人们的阅读习惯与阅读心理,能满足读者的阅读需求。但新兴的影视、电子产品与网络出版以其特有的优势与特点,对传统图书市场产生了深远的影响。分析了读者的阅读需求随着影视作品、电子产品及网络出版所发生的变化对传统图书市场的影响。 相似文献
367.
Optical reflection and transmission spectra of Se_(80-x)Te_(20)Ag_x(where x=0,5,10 and 15,molar percent) chalcogenide thin films have been obtained in the range 300-1 200 nm at room temperature.Glassy samples are prepared by melt quenching technique and thin films are obtained by using vacuum evaporation technique on glass transition at room temperature.The present paper reports the effect of Ag contents on various optical parameters such as optical band gap,refractive index,extinction coefficient,absorp... 相似文献
368.
369.
复杂条件下薄煤层综采方案研究 总被引:1,自引:0,他引:1
葛亭煤矿1160采区地面有密集建筑物,其煤层含有一层硫化铁硬夹矸,底板距奥灰较近。针对这些实际情况,通过理论分析和计算确定1160采区条带法开采工作面采出宽度:基岩厚度30 m以下区域,条带采出宽度30m,基岩厚度30 m以上区域条带采出宽度为40 m。工作面选用MG200/456-QWD型采煤机但是对其做了相应的改造:滚筒为强力滚筒,滚筒直径为1 100 mm,截齿采用国外凯南麦特加强型镐型截齿。通过对底板承压水突水情况的分析,认为煤层开采的安全性较高,正常情况下无突水危险。 相似文献
370.
采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜.结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响.当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω.cm,可见光的平均透过率为89.1%. 相似文献