氧浓度和衬底温度对透明导电Cd2SnO4薄膜光学性质的影响

采用射频溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜,报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高,衬底温度越高,则薄膜透射率、折射率越大,而消光系数越低。对这些结果,从ＣＴＯ膜的晶格九,氧空位等角度进行了理论分析。     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行热处理,用Ｈｇ 置换先驱薄膜中的Ｔ１,进而生成Ｈｇ 系外延超导薄膜．用此方法,成功地在ＬａＡｌＯ３ （００１）衬底上制做出了高质量的ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ 超导薄膜．Ｘ－光衍射θ－２θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构．超导临界温度可达１２２Ｋ．在７７Ｋ温度下,临界电流密度达到３．４×１０６ Ａ／ｃｍ ２,在１１０Ｋ 温度下,临界电流密度仍可保持在０．７×１０６Ａ／ｃｍ ２ ．     

用中等能量离子辐射方法研究C60膜结构变化

在２００ｋｅＶ重离子加速器上,使用１２０ｋｅＶ的Ｈ＋,Ｈｅ＋,Ｎ＋,Ａｒ＋等离子对Ｃ６０分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后Ｃ６０膜的Ｒａｍａｎ谱进行了系统地分析研究．离子辐射会影响Ｃ６０薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值．研究表明Ｃ６０分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而Ｃ６０薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响     

关于用四针法测量条形导电纸电阻的研究

该文将本来用于测量金属材料电阻的四针法移植到导电纸上。导电纸的均匀性比金属差,但只需小电流即能工作。研究表明,该方法对无限大平面导电纸是可行的。继而对管形导电纸作了尝试。最后对条形导电纸的电阻测量总结出经验公式,把四针法测电阻的适用范围推进了一步     

用Galerkin法求弹性扁薄球壳的低阶振动频率

详细介绍了求解运动微分方程的近似解法———Ｇａｌｅｒｋｉｎ 法,用Ｇａｌｅｒｋｉｎ 法求出了固支圆板自由振动的低阶圆频率和弹性扁薄球壳的低阶振动频率Ｐｎ ,并与精确解和Ｒａｙｌｅｉｇｈ 法结果作了比较。     

薄煤层工作面气垛支架控顶特征

本文介绍分析了气垛支架的技术性能和气垛支架对顶板的控制特点,在底板比压、与围岩接触应力、垂直应力、刚度特性和对顶板作用等方面与单体支柱相比,薄煤层气垛支架具有显著的优点。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

薄窄砂体流动单元划分方法研究

流动单元是储层物性特征的综合反映。从薄窄砂体储集层的基本特征出发,探讨影响渗流特征的地质因素,研究薄窄砂体储集层流动单元的划分方法,然后针对研究区目的层段进行流动单元研究。将研究区目的层段划分为26个垂向流动单元,在取芯井分析的基础上,结合其它静态资料将目的层段流动单元分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四种类型,并建立各流动单元的分类标准,对非取芯井按测井解释的物性参数进行流动单元的分类,最后绘制出各沉积单元的平面流动单元分布图。     

全淀粉热塑性塑料薄膜的制备及性能研究

对马铃薯淀粉进行醚化改性,在改性后的淀粉中加入水、PVA、甘油等助剂,制备全淀粉热塑性塑料薄膜。研究了交联剂含量、淀粉含量对淀粉薄膜力学性能的影响,用红外光谱对其进行表征、用扫描电镜研究其形貌,研究其在实验室条件和雨水条件下降解时的质量和力学性能的变化。