趋肤效应的演示

本文介绍用镀铁细铜丝演示趋肤效应的基本思想和方法。     

氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响

在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。     

无氢类金刚石膜的光致发光特性研究

使用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了系列无氢类金刚石（DLC）薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收和光致发光,研究了光致发光与制备条件的依赖关系。结果表明,这种薄膜是有少量sp^2键和sp^2键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1．68～2.46eV,发光在可见光区呈宽带结构。沉积温度对类金刚石薄膜的结构和发光性质有较大影响。当沉积温度从室温升高至400℃时,sp^2团簇的长大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小。     

用Read X射线相机分析薄膜织构的方法研究

提出用ＲｅａｄＸ射线相机照相制作多晶薄膜极图,进而确定薄膜织构的方法,并推导出相关公式。     

YSZ薄膜的阻抗谱测量及其电学性能的研究

应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了不同温度下的ＹＳＺ薄膜的阻抗谱,利用Ｂａｕｅｒｌｅ等效电路模型研究了ＹＳＺ薄膜的电导率随温度的变化规律,探讨了掺杂氧化物（Ｙ２Ｏ３）对ＹＳＺ薄膜电导率的影响,其结果表明：ＹＳＺ薄膜的阻抗谱是一个完整的半圆,圆心稍低于实轴,在５００℃时,ＹＳＺ薄膜的电导率为０．０１４Ω＾－１ｃｍ＾－１,且随着测试温度的升高,ＹＳＺ薄膜的电导率增大,稳定剂浓度对ＹＳＺ薄膜的电导率有显     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

TiO2薄膜厚度及其光学常数的测量

描述了非线性回归模型在ＴｉＯ２薄膜的光学常数及其厚度测量中的应用。利用薄膜在可见光范围内的光谱特性使用曲线拟合技术对它的光学常数进行了测量。研究结果表明,这种方法可能简单、高效地应用于对薄膜厚度及其光学常数的测量。     

具有优良绝缘性能的Ta2O5介质膜

介绍了一种具有优良绝缘性能的Ｔａ２Ｏ５介质膜,它由溅射／阳极氧化二步法工艺制备而成。用原子力显微镜对Ｔａ２Ｏ５膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ｔａ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜进行了比较。结果表明,溅射／阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜的漏电流比溅ＴＭＤＦＡ２Ｏ５膜和阳极氧化Ｔａ２Ｏ５膜分别减少了３－４和１－２个数量级,击穿场强也远高于后２种膜。     

圆抛物面薄壳在冲击波载荷下变形的实验研究

目的　研究中心固定支撑的圆抛物面薄壳体在爆炸冲击波载荷作用下的变形效应; 方法　将圆抛物面薄壳体置于裸装药柱产生的爆炸场中,测定在不同冲击波载荷作用下壳体表面的变形量,分析了壳体的变形特点和变形规律;通过相似理论将实验研究结果加以推广; 结果　得到了壳体变形量的有关曲线和关系式;结论　该研究结果可以为雷达天线在爆炸冲击波作用下的变形程度分析提供参数;     

Correlation between structure and hardness of magnetron sputtering deposited CNx films

Carbon nitride films are deposited on Si (001) substrates by reactive dc magnetron sputtering graphite in a pure N2 discharge. The structure of carbon nitride films has been probed using Fourier transformation infrared, near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) and high resolution electron microscopy (HREM), and the hardness has been evaluated in nanoin-dentation experiments. FTIR spectra show that N atoms are bound to sp1, sp2, and sp3 hybridized C atoms. C1s NEXAFS spectra show that the intensity of π* resonance is the lowest for the film grown at substrate temperature TS = 350℃, with a turbostratic-like structure and high hardness, while it is the highest for the film grown at TS = 100℃, with an amorphous structure and low hardness. The correlation between the structure and hardness of carbon nitride films has been discussed.