探讨利用速度瞬心法鉴别平面机构的虚约束

提出一种根据平面机构的构件和速度瞬心构造的图,利用这种图直观地对所求瞬心的唯一性进行判定,从而鉴别是否有可能出现虚约束;也可先将这种图转换为对应的邻接矩阵X,再利用该矩阵X的自乘幂X2进行判定。     

单母分段接线方式下母线故障的保护分析

通过介绍110 kV变电站单母分段接线方式及其备用电源自动投入逻辑,分析了没有母差保护情况下母线故障会导致全部负荷失电的后果,提出并分析了3种解决方案,得出分段开关保护没有可操作性,用进线保护闭锁备自投在实践中受变压器励磁涌流的影响可靠性差,母差保护是一种较为理想的解决方案。     

Effect of Mo content on microstructure and stress-rupture properties of a Ni-base single crystal superalloy

The additional 1.5 wt% Mo was added in a Ni-base single crystal(SC) alloy with the composition of Ni–6.5Al–8.0Mo–2.4Cr–6.2Ta–4.9Co–1.5Re–(0.01–0.05)Y(wt%) to study the effect of Mo content on the microstructure and stress-rupture properties. The creep and stress-rupture tests under the conditions of 850 °C/500 MPa and 1100 °C/130 MPa were conducted, and the microstructure of as-cast, heat treated and stress ruptured specimens were analyzed. It was found that the 1.5 wt% Mo addition enhanced the stress-rupture lives at both intermediate(850 °C) and high(1100 °C)temperatures. The microstructure analysis showed that adding 1.5 wt% Mo in the basic alloy affected the microstructure dramatically, i.e., the Mo-rich phases formed in the specimens of as-cast and stress-ruptured specimens. It is considered that the improvement of the stress-rupture lives is duo to the strengthening effect of Mo to both γ and γ'phases and the decrease of stacking fault energy, diffusion constant and dislocation spacing. The Mo-rich phases precipitated under condition of 1100 °C/130 MPa did not affect the creep and stress-rupture properties obviously in the present study.     

间对硝基苯酚异构体的电化学测定及取代机理研究

制备了单壁碳纳米管修饰玻碳电极(SWCNT/GCE),采用伏安法研究了间、对硝基苯酚异构体在修饰电极上的电化学行为,分别观察到间硝基苯酚(m-NP)和对硝基苯酚(p-NP)的准可逆氧化还原峰,两物质氧化峰电位差为0.192V,说明间、对硝基苯酚异构体可在SWCNT修饰电极上同时测定.采用线性扫描伏安法优化了硝基苯酚同分异构体电化学响应条件.优化条件下,m-NP在浓度2.7×10~(-6)~1.0×10~(-4)mol/L范围内,其峰电流(Ip)和浓度呈线性关系;p-NP在浓度2.0×10~(-6)~1.0×10~(-4)mol/L范围内,Ip和浓度呈线性关系.两者的Ip都与扫速(v)成线性关系,这说明它们在修饰电极上的电化学过程均与吸附传质有关,电极过程是受吸附控制.基于Nicholson方法,获得m-NP和p-NP的电极反应速率常数(kS),并用Hammett方程计算出Hammett反应取代常数ρ.     

基于转速测量的电机保护器的设计

通过霍尔开关,将电机的转速信号变换为脉冲信号,以AT89S51单片机为控制器,采用同步法对电机的转速信号进行频率测量,使测量频率的相对误差与被测信号频率的大小无关,提高了被测信号频率的测量精度.通过测量电机转速实现了电机保护,此方法具有可靠性高、抗干扰能力强、测量速度快、测量精度高,电路简单、成本低,安装、使用方便等特点.     

基于单片机的课堂签到系统设计与实现

目的为方便教师统计学生的出勤情况,设计和实现课堂签到系统。方法通过分析课堂签到系统的功能,采用发光二极管和光敏二极管构成了光电传感器电路,完成学生学号的识别,以AT89C51单片机、存储器芯片和显示器为核心来实现该系统。结果给出了课堂签到系统的硬件电路设计图和软件设计流程图。结论该系统可以完成到课学生信息的统计,同时,也能统计出未到学生的信息,极大的提高了教师的工作效率。     

New crystal structure of molecular complex 1-piperidine carboxylate-piperidinium-H<Subscript>2</Subscript>O studied by X-ray single crystal diffraction

Piperidine absorbs CO2 and H2O in air to form a molecular complex： piperidium-l-piperidinecarboxylate-H2O. The structure of the complex was characterized by X-ray single crystal diffraction. The crystal structure was determined to be triclinic, space group P1^-with a=0.648 6（8） nm, b=0.809 200） nm, c= 1.357 1（16） nm, a=96.96706）°, β =102.506（15）°,γ=104.202 05）°, Z=2. The complex is stabilized via five hydrogen bonds between the three components, N-O electrostatic interaction and O-O interaction （electron transfer） betweenl-piperidinecarboxylate and H2O. Due to electron transference of carbamate ion, the oxygen atom in water molecule is strongly negatively charged and the O-H bond is considerably shorter than that of the free molecule of water. The formation of the molecular complex is a reversible process and will decompose upon heating. The mechanism of formation and stabilization is further investigated herein.     

基于单神经元自适应PID的PLC直流电机控制系统

针对微型计算机和单片机进行直流电机控制时,抗干扰能力和可靠性差等缺点,提出了一种基于单神经元PID(Proportional-Integral-Derivative)算法的PLC(Programmable Logic Controler)控制直流电机的调速系统,设计了PLC控制D/A(Digital/Analog)转换电路、直流电机驱动电路、转速脉冲反馈电路,研究了单神经元自适应PID控制算法。将有监督单神经元控制算法应用于直流电机调速系统,通过调整神经元控制器的加权系数,实现自适应PID的最优控制。单神经元PID调节在大范围调速和抑制超调方面都有明显的改善,进而提高了直流调速系统的精度。通过系统动态测试,实现了PLC控制直流电机正反转自动调速,直流电机在稳态运行时,转速误差小于1 rad/s。     

参数化弧相容约束传播

为进一步提高约束满足问题求解算法的效率,对约束传播过程进行了分析,并使用变量论域缩减比例对弧相容传播深度进行参数化描述,同时提出了一个约束传播程度可以控制的弧相容传播算法,研究了在不同参数下约束求解算法的效率。该算法在“明月1.0”架构下实现。实验结果表明,约束传播程度是影响算法求解效率的一个重要因素,通过调整控制参数可以使算法效率提高3~4倍。     

带有控制结构约束的次优状态反馈律的研究

研究了带有约束机制的次优状态反馈律,主要对终端时间tf=∞系统建立次优状态反馈的数学模型.通过简单控制结构约束的引入,消除状态变量不完全可测所造成的障碍,从而得到了带控制结构约束的次优必要条件及改进后的迭代算法.