霉菌对化学浸银处理印制电路板腐蚀行为影响

 采用扫描Kelvin探针测试技术研究了化学浸银处理(ImAg)印制电路板(PCB)在霉菌作用下的腐蚀行为,同时通过体视学显微镜、扫描电镜结合能谱分析对PCB的腐蚀和霉菌生长情况进行了观察和分析。电镜和能谱结果表明,在湿热环境下,霉菌可以在浸银处理PCB表面附着并生长繁殖,黑曲霉菌表现出更高活性,具有优先生长特性。霉菌的生长代谢作用促进浸银处理PCB的局部(微孔)腐蚀,出现漏铜现象。结合扫描Kelvin探针结果分析表明,随着时间延长,PCB表面电位整体升高,菌落区域金属作为阳极优先发生腐蚀,腐蚀产物面积逐渐扩大。虽然腐蚀反应中生成了少量带毒性的Ag⁺,对孢子的生长代谢有一定的抑制作用,但是这并没有阻止PCB-ImAg霉菌腐蚀的发生。浸银处理工艺不能完全抑制PCB表面霉菌的生长,不能完全满足PCB防霉菌的要求。     

硅胶基衬底表面高分辨复杂可延展电路的印刷制备

 柔性可延展电子因其能够适应非平面工作环境,将突破现有电子器件的应用范围,促进信息与人的融合,在智能穿戴电子、柔性显示、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。本文提出利用印刷结合真空抽滤方法实现硅胶基衬底表面高分辨复杂可延展电路的制备;研究了丝网印刷工艺实现微孔滤膜表面银纳米线（Ag NWs）图形化沉积的分辨率;讨论了Ag NWs线长、抽滤真空度等因素对沉积分辨率的影响,实现了Ag NWs图形化50 μm线径分辨率及间隔分辨率。本文还研究了硅胶基衬底表面微电极的电阻均一性及拉伸电阻稳定性,并结合电极表面微结构的变化详细讨论了屈曲褶皱结构的出现对微电极拉伸电阻的影响,实现了100 μm线宽微电极100%拉伸幅度下电阻增加仅为初始值的40%。最后,通过集成LED芯片演示了面料基底表面柔性可延展发光电路。本研究对于柔性可延展电路的制备提供了新的思路。     

银纳米粒子构筑树枝状微纳结构用于表面增强拉曼散射的研究

通过简便的电化学沉积法制备出一种新颖的由树干、树枝和树叶构筑的树枝状银微纳结构。采用SEM和XRD等技术对所制备的银微纳结构进行结构表征,并结合其结构特点对树枝状银微纳结构的形成机制进行了初步探讨,制备的树枝状纳银具有极强的对称性的结构。单分子检测实验表明,由于树枝银的高纵横比、众多的间隙结构和纳米尺寸的单晶树叶状银等结构特点,所制备的树枝状银微纳结构作为表面增强拉曼散射(Surface-enhanced Raman Scattering,SERS)的基底具有优异的SERS活性,可用于超低浓度的单分子检测。     

水热法合成磷酸银及其表征

以硝酸银和十二水磷酸钠为原料,150℃水热条件下反应24 h制备出了多面体 Ag3 PO4。对产物的结构进行了X-射线粉末衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,荧光（FL）光谱表征,分析了在水热条件下AgNO3浓度﹑反应时间、反应温度和溶液的pH 对产物形貌的影响。 X-射线粉末衍射分析表明得到的产物为纯净的立方相 Ag3 PO4,通过扫描电镜观察到产物形貌主要为多面体结构。     

铜阳极泥的工艺矿物学

为了改进铜阳极泥中提取贵金属的工艺,采用XRD,SEM和显微镜的方法对阳极泥进行了工艺矿物学研究.研究结果表明,阳极泥中颗粒粒度45μm占1212%;主要元素为Ni,Cu,Se,Ag,Au;主要物相有金及其合金、银及其化合物、铜及其化合物、氧化镍、硫酸钡和黄铁矿等;金和银是主要贵金属,个别小颗粒金为金铅合金,银以硒化银和铜银硒的形式存在;铜和镍是主要贱金属:铜为单质铜、硫酸铜、硒化铜以及铜银硒,镍主要为氧化镍;铜阳极泥以硫酸铜为基底,氧化镍中经常包裹有单质铜.     

火焰原子吸收光谱法测定高含量铜、铁冶炼中间物料中的银

建立了测定高含量铜、铁冶炼中间物料中银的方法,考察了物料的溶解处理方法以及仪器测定过程中的干扰因素的影响。在15％盐酸介质中,用原子吸收光谱仪于波长328．1nm处测定银,方法的回收率和相对标准偏差分别在93．55％～109．3％和1．3％～2．7％之间。方法具有简单、快捷和准确的特点,适用于冶炼工业含银量在20～500g/t范围内的高含量铜、铁物料样品的分析。     

二咪唑基甲烷配体构筑 Ag( I)配位聚合物的合成与晶体结构

通过溶液扩散合成了一个新颖的基于二咪唑基甲烷配体( BIM)构筑的Ag(I)配位聚合物[Ag (BIM) ClO4] n ,对其进行了元素分析,红外光谱与热重分析表征,并用单晶X射线衍射测定了晶体结构.该配合物属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=4.8952(4)樻,b=14.1094(13)樻, c=15.5731(14)樻,α=90°,β=90.458(2)°,γ=90°, V=1075.57(16)樻3, Z=4, Dc =2.195 mg/m 3,μ=2.132 mm-1, F(000)=696,最终R=0.0302,wR=0.0762用于1814个可观测点.晶体结构表明Ag(I)离子同二咪唑基甲烷配体以直线型二齿方式配位形成一维“之”字链的阳离子结构,并通过金属-π键作用和阴离子的桥联作用形成三维的金属有机网格,该化合物十分稳定,热力学分解温度为352℃.     

用密度泛函方法研究中性小银团簇的几何结构

采用密度泛函的广义梯度近似(GGA)下的BLYP方法,对中性Agn(n=2～12)团簇的几何结构进行了优化,结果表明,Ag2～Ag6团簇为平面结构,从Ag7团簇开始出现三维立体结构,同时发现三角形和畸变的五角双锥为中性银团簇结构的生长基础.     

银配合物催化下查尔酮的胺卤化反应

通过对催化剂、溶剂等因素的研究,优化了查尔酮与N,N-二氯对甲苯磺酰胺的胺卤化反应条件.在氮气保护下,用配合物对甲苯磺酸银(1,10-啡咯啉)为催化剂,二氯甲烷为介质,查尔酮与N,N-二氯对甲苯磺酰胺室温下反应24 h,得到化合物3-氯-1,3-二苯基-2-对甲苯磺酰胺基-1-丙酮,产率88.5%,顺反选择性为95∶1.     

银掺杂聚L-苏氨酸修饰电极的制备及对多巴胺的测定

利用循环伏安法,研究了银和L-苏氨酸在玻碳电极表面电化学聚合的条件,制备了银掺杂聚L-苏氨酸修饰电极。并研究了多巴胺在修饰电极上的电化学行为,建立了测定多巴胺的新方法。在pH=6.5磷酸盐缓冲溶液中,扫描速率为20mV/s,多巴胺在修饰电极上产生一对明显的氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.218V,Epc=0.189V。用示差脉冲伏安法测定时,峰电流与多巴胺浓度分别在8.00×10-7～1.00×10-5和1.00×10-5～1.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-7mol/L。用于药物中多巴胺的测定,结果满意。