多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

基于 CFX软件的氮化硅反应炉内热过程的数值模拟

利用大型商业软件CFX建立了高温氮化硅反应炉内温度场的数学模型,采用拟流体模型数值模拟炉内的层流流动,分析了氮气体积流量、各向异性散射和辐射特性等因素对温度场和产物质量浓度的影响.计算结果表明,为确保反应充分完全,预热段温度控制显得非常重要,而氮气体积流量起着决定性的作用;各向异性散射对径向温度、产物质量浓度有一定的影响;散射率对温度场影响很小;计算值与实验值相比较,误差在10%之内.     

添加剂在脉冲放电烟气脱氮过程中的作用

脱硝反应器由针电极和线电极组成,针电极采用不锈钢细管制成,添加剂从针电极喷出;当针电极接脉冲高压电源电晕放电时,添加剂生成自由基,用以脱除烟气中的氮氧化物.实验结果表明:当氨气和丙烯同时加入时,氮氧化物的去除率随着丙烯加入量及能量密度的增加而增加;在能量密度为2 W·h/m3,氮氧化物的初始体积分数约为80×10-6时,NO的脱除效率达到76%,NOx的脱除率达到54%.     

方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究

以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.     

活性污泥吸附重金属离子的研究

城市污水处理会产生大量的污泥,我国城市污水中,由于重金属含量过高,影响了其农业中的综合利用.本研究旨在探索污水处理过程中剩余活性污泥对水中重金属吸附的影响.     

多孔陶粒结晶床除磷试验研究

实验以多孔陶粒为载体，在一定条件下，利用非均相及二次成核作用在陶粒表面沉积一层羟基磷酸钙晶体，从而培养出初级晶种．实验将粒径为1．25mm多孔陶粒与石英砂相对比，结果表明采用多孔陶粒作载体形成结晶体效果较好．用该晶种的连续流固定床除磷，获得令人满意的效果．当原水含磷质量浓度在2～5mg/L范围内时，空床线速不大于2．5m/h，水力停留时间不小千12min时, 脱磷固定床除磷率较高且稳定，磷去除率可达90％以上．     

多孔硅中组装SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的发光现象

用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 化学组成的溶胶，通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移，并出现一个新的400～450nm的余辉发射峰，分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞，二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。     

改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.