高骨架填充率的SiO2有序大孔材料的制备

以SiO2有序大孔材料制备作为研究对象,系统考察了胶晶模板法中影响前驱物填充率的诸因素,包括填充方法、填充时间和填充次数.研究表明,直接浸渍法易导致大孔结构的收缩、脱落和表面覆盖.本文提出的在模板表面添加盖片再填充的方法有效解决了上述问题.当填充时间为5 min、填充次数为两次时,SiO2有序大孔材料的骨架填充率较高.扫描显微镜(SEM)和分光光度计的表征结果证实,实验成功制备了填充率高达22.53%的大面积SiO2有序大孔材料.     

非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象

用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。     

AVCO SiC(SCS-6)纤维的热分析和氧化研究

本文研究了AVCO碳化硅(SCS-6)单丝纤维的热性能、热暴露后的表面形态和氧化现象以及断口形貌,并对SiC的主动氧化和被动氧化进行了分析,得出了纤维的力学性能与其氧化现象的必然联系。     

水泥率值配料最优化计算方法

前言水泥率值一方面决定了水泥熟料矿物组成,同时对窖的煅烧也有着最大的影响,因此被广泛用作衡量熟料质量的主要技术经济指标,以及生料配料的依据。生料配料计算通常采用试凑法,而试凑法的精度太低,不能满足水泥工业日益发展的须要。本文从物料平衡原理出发,建立了水泥率值配料全新的数学模型和算法,和试凑法比较,计算精确度得到大幅度提高,而计算工作量却大幅度地减少,特别是过去用试凑法难于处理的退化情形,现在可以用加权最小二乘原理求出最优近似解。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

高温烧成碳化硅制品的2．5m~3梭式窑

介绍２．５ｍ３高温梭式窑的窑体结构、砌筑材料及窑的技术特性。经生产使用，以轻柴油为燃料，合理燃烧，该窑温度可达１５００℃，为碳化硅制品生产建立了高温烧成设备。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

磁场对磁流体红外吸收的影响

测量了３种磁流体在施加外磁场前后的红外反射吸收谱，发现磁流体的红外吸收第数随磁粉浓度的增加而增加；在外磁场作用下吸收系数降低，钡铁氧体和锰锌体磁液随外磁场增强吸收系数单调下降并趋向一渐近值，Ｆｅ－Ｎｉ超微粒磁流体的吸收系数随磁场的变化出现异常。采用链状结构模型和理论可解释上述现象。