N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

施主态氧沉淀的微观分布

本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。     

碳化硼微粉中微量硅的测定研究

本文依照硅钼蓝法原理,以抗坏血酸为还原酸,柠檬酸调节酸度还原硅钼黄,探讨碳化硼微粉中微量硅含量的测定方法,考察研究操作中各步骤的最佳工艺及其对硅含量分析精确度的影响。结果表明：本方法分析精度高且重现性好,适合于碳化硼微粉中微量硅（质量分数：0.01%～5%）的测定。     

硅灰混凝土超高强机理的分析探讨

本文在研究硅灰活性的基础上,详细阐述了硅灰混凝土增强机理,指出采用“双掺技术”生产超高强混凝土是现阶段取得良好经济效益的重要途径。     

微机在工业硅冶炼中的应用─—自动控制配料系统

介绍了一个以单片微机８０３１主控配料，用ＰＣ２８６微机监管系统工作状态的工业硅冶炼自动控制配料系统。配以动态图形，数据显示，使操作人员能直观地了解工作状态；有关数据都记录在案，以备管理人员查询，找出最佳原料配比，运行证明，该系统可有效地节约电能和原料、提高产品的质量和产量。     

计算机控制的PCVD系统

对ＬＬ－ＰＣＶＤ（真空负载保护等离子体化学气相沉积系统）进行了计算机控制的改进，改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜。讨论了关键的技术问题     

高含量硅的快速分析方法研究

本文提出用二氧化二氢噻吩作β-硅钼酸的稳定剂,抑制向α-硅钼酸的转化,效果较丙酮好,并采用1-氨基-2-萘酚-4-磺酸与亚硫酸和抗坏血酸混合还原剂,促进硅钼蓝的还原,配合82型示差光度计,可在半小时内完成测定,本法可测含二氧化硅在50%以下的铝合金试样,方法快速、准确、重现性好。     

冶金级硅酸洗提纯研究

冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对比试验对酸洗工艺去除硅中杂质的效果进行了详细的研究,分别探讨了酸的种类、酸的浓度、酸洗时间、酸洗温度以及硅粉颗粒粒径对杂质去除效率的影响.研究结果表明最佳的酸洗工艺参数为15%的盐酸,80℃,10h和100μm.在最佳酸洗工艺参数条件下金属杂质铝、铁和钙的去除率分别为70.90%、94.82%和82.69%.