有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

醇盐水解制备Al2O3纳米粉的先驱物体系及控制工艺研究

从工业生产可行性及经济角度对氧化铝纳米粉制备的 先驱物体系－铝醇盐及溶剂种类进行了研究，并探讨了醇盐水解技术及工艺条件对颗粒大小、形状及粒度分布等的影响。结果表明：以民划丙醇铝为先驱物、甲苯为溶剂采用两步解技术、通过控制水量，添加剂等条件，可控制颗粒的大小与形状。     

镉镍蓄电池直流屏控制系统的可靠性研究

根据镉镍蓄电池直流屏的工作原理，分析了直流屏在系统发生故障状态下的几种运行结线方式，提出了在不可靠运行方式下也能可靠切除故障的控制回路改进方法。     

三烷基氧膦萃取酒石酸的研究

研究了三烷基氧膦对酒石酸溶液的萃取和反萃取条件，对温度、初始ＰＨ、萃取剂浓度和被萃液浓度影响因素进行了讨论。确定了萃取过程的最佳工艺条件，研究了萃取及反萃取过程的热效应，并根据实验确定的平衡等温线计算了萃取和反萃取过程的理论级数。     

SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

石墨基PbO2阳极的电化学性能

用热分解和电沉积法制备了C/PbO2、C/SnO2 SbOx/PbO2和C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极.EDS测定了电极的表层成分,考察了该类电极在硫酸溶液中的使用寿命,测定了其极化曲线和动力学参数,并求出其分形维数.同时测定了阳极生成臭氧的浓度.结果表明C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极在4A.cm-2的高电流密度下寿命可达20 h,其a值相对较小,io较大,分形维数Df=1.804 8.     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

250～500℃时NO对干法脱硫反应的影响

用热重分析仪(TGA)研究了250~500℃烟气中NO对干法脱硫法反应的影响规律。实验采用分析纯C aO作为脱硫剂与模拟烟气反应。TGA实验结果表明,在250~500℃的范围内,NO对干法脱硫反应有促进作用。并且存在最佳的NO促进脱硫反应进行的温度和浓度范围:最佳温度为300℃,最佳浓度为2.009~3.348 g.m-3。对脱硫产物的Fourier变换红外分析(FT IR)和扫描电镜(SEM)分析表明NO是通过增加反应活性位和改变反应途径促进干法脱硫反应的进行。     

含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光

采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.