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11.
对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。  相似文献   
12.
利用大型商业软件CFX建立了高温氮化硅反应炉内温度场的数学模型,采用拟流体模型数值模拟炉内的层流流动,分析了氮气体积流量、各向异性散射和辐射特性等因素对温度场和产物质量浓度的影响.计算结果表明,为确保反应充分完全,预热段温度控制显得非常重要,而氮气体积流量起着决定性的作用;各向异性散射对径向温度、产物质量浓度有一定的影响;散射率对温度场影响很小;计算值与实验值相比较,误差在10%之内.  相似文献   
13.
以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.  相似文献   
14.
H2O2氧化降解壳聚糖的动力学   总被引:4,自引:0,他引:4  
为制备分子量分布较窄的可溶性低分子量壳聚糖,研究了简单均相体系下双氧水降解壳聚糖的过程与机理,考察了温度、双氧水浓度和时间对降解反应的影响,实验结果显示均相条件下壳聚糖的氧化降解符合无规降解动力学规律.同一降解体系中,同一反应时刻下,水解产物的分子量的倒数与反应温度成正比.  相似文献   
15.
提出了固体氧化物燃料电池零排放新思路设计,该设计具有高发电效率、温室气体零排放、回收利用二氧化碳以及使用环境友好的可再生循环二氧化碳吸收材料等优点.此外,还介绍了电池构件材料以及二氧化碳吸收材料的制备,最后测试了材料的二氧化碳吸附性能.结果表明最大体积吸收比可高达993倍,最佳吸收温度为700 ℃,同时可实现在800 ℃以上2 h内将所吸附的二氧化碳完全解析.  相似文献   
16.
掺杂Fe3+的纳米TiO2光催化降解氮氧化物研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
利用Fe(NO3)3*9H2O,采用浸渍的方法,制备了掺Fe3+的纳米TiO2.讨论了此种纳米TiO2对氮氧化物的光催化效率,并分析了Fe3+在催化过程中的作用.试验结果表明:Fe3+明显提高了纳米TiO2的光催化性能;在室内自然光作用下对较高质量浓度的氮氧化物均具有较高的光催化效率.通过对TEM照片和XRD谱的分析,从能级理论解释了Fe3+提高催化活性的原因.  相似文献   
17.
研究了熔融碳酸盐燃料电池(MCFC)阴极材料锂铁氧化物电极的导电性能。实验结果表明在合成锂铁氧化物的过程中,使Li2CO3轻微过量,可以提高锂铁氧化物电极的导电性。在同一温度下,随着Li:Fe值的增大,锂铁氧化物电极的导电性增加。相同Li:Fe条件下,锂铁氧化物电极的导电性随着温度升高按指数规律增加。扫描电镜研究(SEM)表明,Li:Fe比值不同,制备的锂铁氧化物电极表面形貌也不同。  相似文献   
18.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.  相似文献   
19.
RTP硅太阳电池的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
用快速热处理(RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程,提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。  相似文献   
20.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.  相似文献   
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