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41.
研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
42.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
43.
以Nb2O5为烧结助剂,通过无压烧结制备氧化铝陶瓷.研究了Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化和显微结构的影响.结果表明,少量的Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化具有明显的促进作用,当Nb2O5的添加量为1%时,可使氧化铝陶瓷在1 500℃获得致密.显微结构上,Nb2O5对氧化铝的晶粒生长也具有显著的促进作用.Nb2O5对致密化和晶粒生长的促进作用主要是通过它在氧化铝晶粒中的固溶来实现的.力学性能测试表明:加入Nb2O5后能够在不影响力学性能的前提下降低烧结温度. 相似文献
44.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
45.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
46.
47.
魏芹芹 《山东理工大学学报:自然科学版》2006,20(5):68-71
用阳极电流腐蚀法制备多孔硅(PS),并将其分散到无水乙醇中形成溶胶.用荧光光谱仪测定了多孔硅溶胶的荧光强度与浓度的关系,研究了不同表面活性剂的掺入对溶胶体系的稳定性及其荧光强度的影响.进行了多孔硅溶胶的电迁移实验,并发现不同的表面活性剂的加入可使多孔硅溶胶带不同电荷,从而使多孔硅溶胶的电迁移变的可控.用扫描电镜(SEM)和X光电子能谱(XPS)对多孔硅溶胶电迁移沉积层进行了对比分析.研究表明,溶胶体系中表面活性剂的加入对沉积层的成分没有影响,可以用这种方法实现多孔硅纳米粒子的可控组装. 相似文献
48.
木材陶瓷制备多孔SiC的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
椴木木粉/酚醛树脂复合材料经高温碳化制成木材陶瓷,然后经熔融Si反应性渗入制成了多孔的SiC陶瓷.借助X射线衍射、傅里叶红外吸收光谱和扫描电子显微镜等方法对木材陶瓷和多孔SiC的物相组成、微观结构和基本性质进行了研究,利用阿基米德法和三点弯曲法测定了木材陶瓷和多孔SiC的显气孔率和弯曲强度.结果表明,木材陶瓷是非晶碳材料,含有C—O—C醚键、C—C双键及C—H结构等,多孔SiC是由主晶相β-SiC和少量第二相Si组成的复合材料;多孔SiC遗传了木材陶瓷的多孔结构;木材陶瓷向SiC陶瓷的转变使弯曲强度从12.6MPa提高到73.8MPa,显气孔率从64.1%降至53.2%。 相似文献
49.
碳化钼和氮化钼结构、催化加氢性能及制备 总被引:4,自引:0,他引:4
就碳化钼和氮化钼结构及性质对芳香烃加氢、不饱和烃加氢、CO加氢以及加氢脱硫和脱氮等反应催化性能及其制备化学进行了综述. 相似文献
50.