首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4270篇
  免费   205篇
  国内免费   349篇
系统科学   8篇
丛书文集   144篇
教育与普及   35篇
理论与方法论   8篇
现状及发展   23篇
综合类   4606篇
  2024年   4篇
  2023年   7篇
  2022年   27篇
  2021年   39篇
  2020年   40篇
  2019年   31篇
  2018年   63篇
  2017年   80篇
  2016年   60篇
  2015年   109篇
  2014年   170篇
  2013年   124篇
  2012年   195篇
  2011年   234篇
  2010年   165篇
  2009年   236篇
  2008年   185篇
  2007年   284篇
  2006年   265篇
  2005年   250篇
  2004年   231篇
  2003年   203篇
  2002年   181篇
  2001年   146篇
  2000年   152篇
  1999年   126篇
  1998年   112篇
  1997年   116篇
  1996年   132篇
  1995年   117篇
  1994年   105篇
  1993年   101篇
  1992年   102篇
  1991年   117篇
  1990年   94篇
  1989年   67篇
  1988年   74篇
  1987年   42篇
  1986年   32篇
  1985年   5篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有4824条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
本文研究了淬火工艺对低和中碳铬钢的显微组织,冲击韧性和断裂机制的影响,得出了无论是低碳,还是中、高碳钢,当奥氏体长大倾向稍大时,采取提高加热温度进行淬火的工艺均为不可取的结论。  相似文献   
22.
双核铕-邻甲基苯甲酸-邻菲罗啉三元配合物的晶体结构王瑞芬,王明昭,金林培,蔡冠梁(北京师范大学化学系,100875,北京;解放军防化指挥工程学院,102205,北京;第一作者,44岁,女,副教授)关键词铕;三元配合物;晶体结构分类号O741.6;O6...  相似文献   
23.
器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.  相似文献   
24.
本文利用有效场理论研究了自旋1/2和自旋1混合Blume-Capel模型在具有双模随机晶体场的圆柱形Ising纳米管上的磁化和相变. 通过数值计算,我们得到了随温度和随机晶体场参数变化的相图和磁化强度. 结果表明: (1) 改变晶体场的概率和比例,双模随机晶体场可以描述不同掺杂原子对自旋的作用;(2) 对于一定的概率值、负或正的晶体场和晶体场的比例值都存在临界点;(3) 系统显示多种相变温度,一阶相变和二阶相变.  相似文献   
25.
本文报道了二苯并十八冠六聚钼钨杂多酸超分子配合物的晶体结构与紫外可见光谱分析.  相似文献   
26.
烟酸钕Nd2(C5H4NCOO)6(H2O4的晶体结构   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
从LnAlaNA溶液(Ln=Nd,Ala=L-丙氨酸,NA=烟酸)中得到烟酸钕晶体,其晶体结构用四元X射线衍射技术测定。化合物为二聚体结构,属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数:a=9.686(2),b=11.9969(11),c=17.2206(13),β=92.550(9)°,V=1999.2(4)3,Z=2,Dc=1.816mg/m3。Nd配位数为8,配位多面体为畸变四方反棱柱。  相似文献   
27.
极性晶体膜中极化子的性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质.对GaAs进行了计算,结果表明:在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变.  相似文献   
28.
多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用HFCVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层。用XRD、VASE、XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。XRD显示薄层具有明显的择优取向特征。VASE测量出薄层的折射率为2.686,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其能谱证明C1s与Si2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC。  相似文献   
29.
旋转构件动态参数的在线检测技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于电磁检测原理,研究了一种用磁晶格法动态检测旋转构件的角速度、剪应变、剪应力、扭矩及轴功率等动态物理参数的新的检测技术与方法。阐明该检测方法的原理及检测信号的处理与转换技术,推导出时间域的检测量与旋转构件动参数之间的数学关系式;并用单片机实现了旋转构件动态物理参数的实时在线定量检测。  相似文献   
30.
利用手性源(2R,3S)-3,4-二甲基-2-苯基-1,4-氧氮杂-5,7-二酮(1)合成了具有光学活性的7,8-二甲基-3,6-二苯基-5-氧-8-氮螺[2.6]壬-4,9-二酮(3).测定了化合物(3)的晶体结构,并讨论了在环加成反应中的不对称诱导作用的机理.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号