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71.
提出了一种基于全系统模拟器gem5的混合内存系统模拟器的构建方法.构建混合内存系统模拟器时,首先在gemg5中添加一层混合内存控制器结构,然后引入NVMain中的新型非易失性内存模型与gem5原生DRAM内存模型一起挂接到新添加的混合内存控制器上.实验结果表明,该方法能够实现构建混合内存系统模拟器的目标. 相似文献
72.
NiTi 合金是常见的形状记忆合金,有着良好的形状记忆效应、超弹性、耐腐蚀性和生物相容性,在生物医疗、航空航天和微机电等领域有着广泛的应用。 目的 研究 NiTi 合金表面不同纳米级结构的润湿性能,改善 NiTi 合金在工作环境下的磨损情况,提高 NiTi 合金的使用寿命。 方法 使用分子动力学方法模拟周期性边界条件下 NiTi 合金的形状记忆效应,研究在不同温度下 NiTi 合金原子的微观结构演化;同时基于 NiTi 合金温度响应下不同的微观结构,建立液滴静态接触角仿真,研究 NiTi 合金表面在不同微观结构下的润湿性能。 结果 发现 NiTi 合金在不同温度响应下发生相变,从而使 NiTi 合金的表面原子排列发生改变,展示了温度诱发 NiTi 合金的相变和逆相变行为以及在原子尺度下的微观结构演化,再以不同温度响应下发生相变和逆相变的 NiTi 合金表面作为基底,发现其表面的润湿性也发生了改变和恢复。 结论 NiTi 合金随温度响应发生相变,微观结构发生改变,其表面的润湿性能也发生改变;而且 NiTi 合金随温度逆相变,微观结构恢复到初始状态,其表面润湿性也能随之恢复到初始状态;NiTi 合金在相变过程中的奥氏体和马氏体含量会影响 NiTi 合金表面润湿性能,因此能够通过温度进行 NiTi 合金表面在微观结构下润湿性的自适应调控。 相似文献
73.
本文讨论了一类联想神经网络的综合方法,给出了计算机实现网络综合的算法程序流程图及网络综合实例,计算机模拟结果表明,综合出的网络在模式联想记忆中得到的结果与理论分析完全相吻合。 相似文献
74.
文章根据水稻生长模拟模型ORYZA2000所需要的数据,从用户应用角度,选取准确性、及时性、可理解性、完整性、冗余性和可信度评价指标,采用定性与定量结合的方法,对目前国内互联网上提供的共享数据进行综合评价,揭示科学共享数据应用方面存在的问题.结果表明:中国地面气候资料日值数据集的各项数据质量评价指标较好;中国农作物生长生育状况资料数据集,因部分发育期数据的完整性和准确性有待提高,造成现阶段区域水稻生长模拟精度有进一步提高的可能性.目前,大部分水稻品种、土壤性质等数据很难获得,田间小气候数据库数据冗余问题较突出. 相似文献
75.
针对风电功率预测(WPF)问题,提出一种基于离散小波变换(DWT)、时间卷积网络(TCN)和长短期记忆(LSTM)神经网络的混合深度学习模型(DWT-TCN-LSTM),对超短期风电功率进行预测.将DWT-TCN-LSTM模型分别与差分整合移动平均自回归(ARIMA)模型,支持向量回归(SVR)模型,长短期记忆神经网络模型和卷积长短期记忆(TCN-LSTM)混合模型进行对比实验,通过对称平均绝对百分比误差(SMAPE),均方根误差(RMSE)和平均绝对误差(MAE)3种评价指标值对各个模型进行评价.实验结果表明:DWT-TCN-LSTM模型具有较好的预测性能. 相似文献
76.
《自然科学进展(英文版)》2022,32(5):602-607
Resistive Random-Access Memory (RRAM) devices are recognized as potential candidates for next-generation memory devices, due to their smallest cell size, high write/erase speed, and endurance. Particularly, the resistive switching (RS) characteristics in oxide materials have offered new opportunities for developing CMOS-compatible high-density RRAM devices. In this study, the RS behavior of HfAlOx/ZrO2 thin films sandwiched structure between TiN bottom electrode and Au top electrodes were investigated. It was found that Au/HfAlOx/ZrO2/TiN stacks were superior in terms of RS performance when compare to Au/HfAlOx/TiN memory stacks. The devices demonstrated a good resistance ratio of high resistance state and low resistance state ~103 for Au/HfAlOx/TiN and ~105 for Au/HfAlOx/ZrO2/TiN stacks, respectively. Both stacks showed good retention characteristics (>104 ?s) and endurance (>103 cycles). The experimental current-voltage characteristics fitted with different conducting mechanisms, the linear lower bias region is dominated by ohmic conductivity, whereas the non-linear higher bias region was dominated by space-charge limited current conduction mechanism. 相似文献
77.
自然场景文本识别是计算机视觉领域一项极具挑战性的任务,为此提出一种适用于任意方向的自然场景文本识别算法.使用高分辨分割网络作为基础框架提取文本的空间信息,利用卷积长短时记忆网络提取文本的时空序列信息,同时通过设计字符注意机制使模型专注于字符上,并采用可微分二值化函数进一步加大网络对前景的注意力,削弱对背景区域的关注,网... 相似文献
78.
79.
在对股票市场的研究中,波动性一直是比较重要的一方面,利用ARCH类模型对上证综指日收益率进行分析,得出上证综指具有集聚性和长期记忆性。 相似文献
80.
根据形状记忆合金的一维热力学本构关系,建立了粘贴预拉伸SMA薄层的复合悬臂粱弯曲变形的模型。分析了在不同温度下,SMA相交恢复力驱动粱而产生的弯曲变形,并进行了实验研究。 相似文献