三端口四态变量CNN原理在肿瘤生长方程中应用

提出了一种在抗癌免疫监视下的肿瘤生长细胞神经网络(GIsAC CNN)模型.用具有3个端口4个态变量CNN的解析判别法研究了GusAC CNN的分歧图.数值模拟了癌细胞扩散和清除过程.研究结果似乎表明:效应细胞对癌细胞的清除起着至关重要作用,细胞组织中存在免疫缺陷,可能导致癌细胞的转移与扩散.     

基于模糊理论的铸件质量管理中的数据挖掘

对铸件质量管理问题进行了研究，运用数据挖掘技术对铸造生产过程进行分析。按工序将铸造缺陷产生原因进行分类．提出了一种数据模型，可发现容易产生质量问题的工序以及相关的故障因素，向决策提供信息，有利于决策解决生产中薄弱环节存在的问题．     

涡流法检测输油管孔洞的实验研究

以从长输油管道管上切割下来钢板作为研究对象,在其上面人工用电钻打的孔作为缺陷,研究了有孔洞缺陷时的涡流检测信号.在此过程中应用和制作了差动式涡流传感器,通过实验分析有孔洞缺陷时的涡流检测信号特征,总结建立了涡流法检测孔洞缺陷的方法.     

冲切破坏理论在浅埋溶洞顶板的利用探讨

研究冲切破坏理论在浅埋溶洞顶板的利用，对已有的经验和理论公式进行完善和修正，使得在基础设计和地勘工作中对溶洞顶板的取舍和利用程度的判断更为准确客观。     

电子辐照CuZnAl形状记忆合金马氏体稳定化的研究

用能量 1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品 ,通过循环水冷的方法 ,将辐照控制在马氏体相进行 .实验结果表明 ,样品被辐照处理后 ,其马氏体相变温度和相变滞后 ,以及相变特征温度T0 都随辐照注量的增大而升高 ;当辐照注量在 6 .30× 10 2 0 m- 2 ～ 1.89×10 2 1m- 2 时 ,其相变温度变化渐趋平缓 .作者认为 ,这是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变 ,从而诱生了马氏体稳定化     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

湖南永和海泡石粘土的矿物学研究

作者应用x射线衍射、红外光谱、差热分析、电子自旋共振及透射电镜研究了湖南浏阳永和海泡石粘土的矿物学特征,确定了由于类质同像替换在海泡石和滑石结构中存在着晶格缺陷,为进一步探讨它的工业利用提供了必要的资料。     

一价铝离子3sns(J=0)系列的高激发态结构

本文利用本征通道量子亏损理论方法计算了一价铝离子3sns(J=0)里德伯系列的激发态结构,给出了高激发态结构的具体数值结果,并讨论了干状态的影响.     

涉及小函数的Hayman不等式及其它

本文得到如下主要结果: 设f(z)为复平面上的超越亚纯函数,φ(z)是f(z)的小整函数.n为一自然数,则对任意正数ε, ?? 这里S(r,f)具有通常余项的性质.     

浅水船舶兴波阻力特性的理论分析

运用经典的线性兴波理论对浅水船舶兴波阻力特性进行了研究.针对浅水柯钦函数与深水柯钦函数之间存在的不相容性,通过引入深度影响因子来描述水深对浅水波阻的影响,重新定义了浅水柯钦函数,得到浅水线性波阻的一个新的表达式.借助量级分析和近似处理,导出了简化浅水柯钦函数和相应的浅水线性波阻公式.在上述工作的基础上,对浅水波阻特性进行了分析和讨论,合理地解释了若干实际现象.