Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响

为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。     

薄膜镀层的XRD分析

利用X射线多晶衍射和计算机模拟的方法对薄膜镀层的物相成分、晶粒度大小、膜厚度、粗糙度、膜密度、吸收系数、折射因子进行测试分析,分析结果表明采用此方法对薄膜进行分析准确度高,速度快.     

刚性转子系统的碰摩与油膜非线性动力学耦合

通过分岔图、Poincarè映射、轴心轨迹讨论了不同强度和不同方位碰摩与油膜的非线性动力学耦合特性.研究结果发现,当转子产生2倍周期分岔后,碰摩分岔具有2倍周期的特征,即分岔图包括两部分.在转子发生2倍周期分岔区域,随着碰摩强度增加,在远离90°和270°发生碰摩时出现高倍周期分岔、概周期或混沌,而在90°和270°附近仍保持倍周期特性.当转子响应为概周期或混沌运动时,在90°和270°附近区域碰摩产生n倍周期分岔.当碰摩强度较小时,90°附近碰摩的分岔倍数高于270°碰摩的分岔倍数;随碰摩强度增加,90°和270°附近区域碰摩都达到2倍周期;而远离这两个区域碰摩的倍周期分岔数量增加,甚至达到...     

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜性能的影响

在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜。分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律。     

含液晶基元的光控取向薄膜新型材料的制备及初步表征

合成了一种侧链上同时含有液晶基元、柔性间隔基和肉桂酰感光基团的新型液晶聚合物,用核磁共振(1H NM R)和傅里叶红外光谱(FT IR)确定了上述中间体的结构,并用热分析等手段研究了聚合物性能.经线性偏振紫外光聚合技术处理聚合物膜,通过检测照射前后聚合物薄膜透光率的变化可知,所制备的取向薄膜具有良好的定向能力,该聚合物是一类具有潜在应用价值的新型光控取向薄膜材料.     

半导体薄膜光催化降解苯酚废水

研究用热分解法镀半导体薄膜,以紫外灯为光源,进行半导体薄膜光催化降解苯酚废水。实验结果表明:用CuO作为催化剂,并且在苯酚溶液中加入双氧水可以使苯酚转化率达到66.6%。半导体薄膜可重复使用,且利用太阳光降解苯酚废水具有很好的应用前景。就实验结果进行了理论分析和探讨。     

谈新疆影视旅游的开发

文章针对影视作品对新疆旅游的影响进行简要分析,进而论证了新疆发展影视旅游的基础和条件,并针对新疆的现状提出了发展影视旅游的一些措施和应注意的问题。     

双层磁性膜自旋波能量耗散的研究

建立了外场作用下双层膜的自旋波共振模型,求出双层磁性膜的有效阻尼参数,得到能量耗散特征量——自旋波谱线宽度2△H随波矢k1、双层膜厚度、阻尼参量和回转磁化率等的变化关系．对YsmFe5O12／(LaEr)3(FeGa)5O12 双层膜进行计算,其理论计算与实验结果一致．结果表明:在阻尼系数有较大差异的两层膜中,自旋波线宽度2△H 随激发层中自旋波矢增大而明显增大．     

Vaidya-Bonner黑洞的瞬时辐出度

利用Vaidya--Bonner黑洞视界面附近的熵密度，导出黑洞的瞬时辐出度，得到了任一时刻黑洞的瞬时辐出度总是正比于黑洞视界温度的四次方的结论。导出的广义Stefan—Boltzmann系数不再是一个恒量，而是一个与黑洞视界的变化率、黑洞视界面附近的时空度规及黑洞的吸收与辐射系数有关的一个动比例系数。揭示了黑洞周围的引力场与其热辐射之间存在着必然的内在联系。     

交流脉冲制备TiO2薄膜的性能研究

利用150kHz交流脉冲放电进行等离子体化学气相沉积（PCVD），使用Ti（OC3H7）4为源物质，在普通钠钙载玻片上制备了TiO2膜．主要考查了交流脉冲电压、反应室工作气压、气体流量、薄膜沉积温度等工艺参数对薄膜光学特性的影响,通过薄膜透过率和吸光度分析，探讨了各工艺参数对成膜品质的影响．结果表明：在载玻片上．根据不同沉积条件可制成性能不同的TiO2薄膜，均有光催化特性且附着力好．