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31.
将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。 相似文献
32.
研究了4种复合氧化物(PbO-Bi2O。-B2O3,MnO-Bi2O3,Na2O-SiO2和LiNbO3)为扩散剂对半导化的SrTiO3基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响.在实验基础上,提出了新的晶界势垒模型. 相似文献
33.
陈国强 《山东科技大学学报(自然科学版)》1994,(3)
应变片式传感器由于自身所具有的灵敏度、测量精度和可靠性高、动态响应快、抗干扰性强等特性,已在许多领域获得广泛应用。本文仅就实际使用的一个方面,做一系统介绍,供应用者进一步开发研究。 相似文献
34.
提出一种应用半导体激光器的调频特性实现非接触测量的方法,可应用于小位移精密测量,也可应用于可转化为小位移的形状的精密测量。对于软材料的测量有重要意义,为了克服半导体激光波长变化、空气温度、气压、湿度及空气成份变化对测量稳定性的影响,设计了一种差动光学系统,满意地解决了这个问题,使测量方法达到了实用化。 相似文献
35.
采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3~5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。 相似文献
36.
在73~300K温度范围内,首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xS(x=0.001,0.01,0.03,0.048,0.053,0.063)的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰,两者互相对应,其峰位与样品组分x值无关。它们分别对应于Co ̄(2+)离子在T_d对称的晶体场中不同能级间的跃迁。 相似文献
37.
38.
本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。 相似文献
39.
半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备 总被引:2,自引:0,他引:2
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。 相似文献
40.
基于半导体光放大器(SOA)构成的环境激光器新型方案实现了自泵浦可调谐四波混频(FWM)型全光波长转换,转换速率为2.5Gbit/s。可调谐范围10nm。对可调谐波长转换过程进行了验证,分析了转换效率与频率失谐之间的关系,结果表明,相对于普通的四波混频型波长转换,此种方案中转换效率更依赖于频率失谐的大小,要取得宽的调谐范围和好的转换结果,需要对方案结构和半导体光放大器结构参数进行优化。 相似文献