非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

带隙渐变纳米线的制备及其非线性光学效应研究

由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,对应的带隙从2.44 e V渐变到1.74 e V。并使用波长为405 nm的激光照射该纳米线,得到它的荧光光谱图来证实其带隙呈渐变状态。利用波长为1 064 nm的激光,将其耦合进单根纳米线中,产生了532 nm的绿色倍频光和双光子荧光,这说明硫硒化镉纳米线具有二阶和三阶的非线性光学效应。     

Se与Te替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响

基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,研究了Se与Te原子替位掺杂对WS₂-MoS₂纳米器件电子输运性质的影响.结果表明,WS₂-MoS₂纳米器件为间接带隙半导体,器件电流在[+0.7 V,+1.0 V]与[-1.0 V,-0.9 V]偏压范围内随着偏压的增大逐渐减小,呈现显著的负微分电阻效应;Se与Te原子对WS₂-MoS₂纳米器件进行替位掺杂后均呈现有趣的负微分电阻效应,器件两端电流的隧穿也显著改善;Se原子对WS₂-MoS₂纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体;Te原子对WS₂-MoS₂纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体甚至金属,且导电性能大幅提升.     

Sol-gel法合成Bi_(1.6)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3O_x体系的超导材料的研究

本文用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高ＴＣ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，（超导转变温度为１０８．３～１１６．１Ｋ）并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间（缩短６０ｈ），促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短（缩短１５３ｈ）．利用ＳＥＭ和Ｘ－ｒａｙ观察和分析了样品的形貌特征和物相结构．Ｓｏｌ－ｇｅｌ法具有工艺简单，烧结时间短，样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点，在高ＴＣ超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺．     

掺杂对酸法铁黄制备过程的影响

研究了酸法铁黄制备过程中掺杂Ｚｎ＾２＋，Ｎ＾２＋，Ｃｄ＾２＋，Ｃｒ＾３＋，ＰＯ４＾３－等离子对晶种及铁黄形态和结构的影响，并初步探讨了杂质的作用机制。研究发现：掺杂离子改变晶种及铁黄的形态和结构，掺杂Ｚｎ＾２＋可增加晶种轴比，减少枝权和孪晶，优化铁黄形态。     

生物膜增长动力学模型

生物膜是由降解底物的活性物质与非活性物质所组成.基于这种观点，提出了系统描述生物膜中活性生物量（Ma）与非活性物质量（Mi）增长的生物数学模型体系.从理论上阐明了活性生物量与非活性物质量间动态的相互作用，并论证了生物膜反应器在运行中存在最大活性生物量（Ma）max，且在反应器达到最大活性生物量（Ma）max以后，非活性物质量的积累导致生物膜的继续增长，但不能改善生物膜反应器的出水物质.     

半导体电热膜的研究

对稀土掺杂和复合稀土氧化物半导体电热膜的制备和薄膜特性进行了研究，并和ＳｎＯ２电热膜进行了研究对比，讨论了新型半导体电热膜的掺杂效应和电阻随的变化规律及导电机理。     

快速立体激光光造型树脂感光性能的研究

研究了能在Ａｒ离子可见光激光下快速固化的感光树脂体系的组成对其感光性能的影响。感光树脂体系包含丙烯酸环氧树脂，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Ｎ－乙烯基吡咯烷酮，和由紫外引发剂，染料及叔胺组成的协同引发剂，还研究了激光能量，引发剂组成，树脂组成对树脂粘度，固化转化率，固化深度的影响。     

电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系

电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。