一种制备CdSe纳米晶体的方法

CdSe纳米晶体因其独特的新颖性质具有广阔应用前景，但常用的非水相方法所用的原料，如三正辛基氧化膦等，价格昂贵且毒性大．为此，引入了价格便宜、环境友好的新溶剂A，在其中合成了CdSe纳米晶体，并利用紫外可见光谱、荧光发射光谱、透射电镜、能量分散X射线谱和X射线衍射对得到的纳米晶体进行了表征．结果表明，在新溶剂中合成的CdSe纳米晶体粒度均匀，粒径可控，具有高的结晶度和良好的光学性质．新溶剂A降低了合成成本，使合成更加符合绿色化学的原则．     

半导体热电材料Bi2Te3膜的电化学制备

研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3 、纯Te4 及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好。     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模

对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。     

Nanoscale structural and electronic evolution for increased efficiency in polymer solar cells monitored by electric scanning probe microscopy

Control of blend morphology at multi-scale is critical for optimizing the power conversion efficiency （PCE） of plastic solar cells. To better understand the physics of photoactive layer in the organic photovoltaic devices, it is necessary to gain understanding of morphol- ogy and the corresponding electronic property. Herein we report the correlation between nanoscale structural, electric properties of bulk heterojunction （BHJ） solar cells and the annealing-induced PCE change. We demonstrate that the PCE of BHJ solar cells are dramatically improved （from 1.3 % to 4.6 %） by thermal annealing, which results from P3HT crystalline stacking and the PCBM aggregation for interpenetrated network. The similar trend for annealing- induced photovoltage and PCE evolution present as an initial increase followed by a decrease with the annealing time and temperature. The surface roughness increase slowly and then abruptly after the same inflection points observed for photovoltage and PCE. The phase images in electric force microscopy indicate the optimized P3HT and PCBM crystallization for interpenetrating network formation considering the spectroscopic results as well. From the correlation between surface photovoltage, blend morphology, and PCE, we propose a model to illustrate the film structure and its evolution under different annealing conditions. This work would benefit the better design and optimization of the morphology and local electric proper- ties of solar cell active layers for improved PCE.     

极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器

报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.     

太阳能光催化制氢体系研究进展

世界经济的迅猛发展,在促进人们生活水平飞速提升的同时也造成了全球日益严重的能源短缺和环境污染.氢作为一种能源载体,能量密度高,可储可运,且燃烧后唯一产物是水,不污染环境,被认为是今后理想的无污染可再生替代能源.利用太阳能光催化制氢通过把太阳能转化为氢能,能够实现能源的无污染生产、储存、运输和使用,正日益受到国际社会的高度关注,被认为是解决能源及环境问题的最佳途径之一.依据光催化制氢时是否添加牺牲剂及添加牺牲剂的种类,对光催化制氢体系进行了分类,并分别概述了不同体系的研究进展,并对太阳能光催化制氢的未来发展进行了展望.     

SOA在OCDMA网络中的应用

综述了半导体光放大器(SOA)在光码分多址(OCDMA)系统中消除多址接入干扰(MAI)噪声、控制全光分组数据路由的两类应用,阐述了这些方案的原理和特点,并展望了未来SOA在OCDMA网络中的应用.