GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。     

GaAs材料测温系统的研制

利用半导体GaAs材料透过率特性的光纤测温系统具有抗电磁干扰、抗腐蚀、绝缘性好等特点，但精度不够高。针对这种情况，本文提出了一种新的半导体GaAs材料测温系统，由于引入了参考光源，使系统的精度和稳定性有了很大提高。     

不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究

报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。     

Transmission electron microscopy investigation of the Ar+ ion irradiation effect in semiconductor GaAs

Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar⁺ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar⁺ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing. Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

基于负载牵引方法的微波功率放大器仿真设计

微波功率放大器是通信系统中的关键器件.这里描述了基于EDA技术下3.55GHz的可用于W-CDMA基站的微波功率放大器的设计方法.利用厂家提供的非线性模型进行仿真设计,通过直流仿真来确定其偏置,利用负载牵引技术来确定最佳输入输出阻抗,设计出输入和输出匹配网络.对整个设计进行测试,得到了具有高输出功率,一定效率的功率放大器,适用于线性基站应用.     

面向高频的GaAs开关电流镜设计

讨论了采用砷化镓场效应管对改进开关电流电路高频性能作用,采用砷化镓技术设计了电流镜电路,对电路主要的时钟匮入、电荷注入以及输出电导效应造成的误差原理及其补偿进行了分析,提出了一种新的包含共栅级联与虚拟开关技术的电流镜结构,工作频率可达到50MHz.仿真结果证明了电路是有效的.     

GaAs-SiO_2复合薄膜的非线性光学特性

采用单光束Z扫描技术测量了GaAs－SiO2复合薄膜的光吸收和光折射特性,结果表明：在104W／cm2的辐射光强作用下,复合薄膜的光吸收和光折射表现出明显的非线性特征．根据Z扫描测量理论算得三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-6cm2／W;和10-1cm／W量级．运用量子点模型对三阶光学非线性响应增强的机制进行了讨论．     

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性

从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。     

飞秒电脉冲光电导自相关探测

飞秒激光脉冲光电导取样技术在超短电脉冲的产生与测量及其在超高速光电子器件特性研究、光通信与光电信息处理等方面有着十分诱人的应用前景,已成为近年来超快光电子学研究的热点[1,2].本文介绍采用飞秒激光脉冲自相关方法在低温生长砷化镓(ＬＴＧａＡｓ)共面微带传输线?..