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931.
932.
在中性水溶液中合成了Keggin型钴取代硅钨杂多阴离子SiW11O39Co(II)(H2O)6-(SiW11Co),并进行了IR、UV-vis和循环伏安表征.IR和UV-vis实验表明,SiW11Co在960,904、810和748cm-1处有四个特征振动吸收峰,分别对应于Si-Oa、W=Od、W-Ob-W和W-Oc-W的反对称伸缩振动.在200nm和252nm处有两个很强的紫外吸收峰,分别对应于Od→W和Ob,Oc→W荷移跃迁;在400nm和546nm处有两个较强的可见吸收峰,分别对应于O(dH2O)→dCo和Ob,Oc→dCo荷移跃迁.循环伏安和交流阻抗实验表明SiW11Co有一对Co波和两对W-O骨架波,前者的电极过程具有不可逆的性质,为电荷传递动力学控制过程;后者的电极过程具有可逆的性质,为扩散控制过程.两者的电极过程均涉及H+. 相似文献
933.
室温常压条件下,储存在高压钢瓶中的氮氢气体,以1:3的混合比,流量分别为40ml/min和12ml/min,混合气流经石英玻璃气套,石英玻璃气套安放在一对园柱面电极中间,两园柱面电极与交流电源相连接,电源的输出电压15KV,频率为20KHz。石英玻璃气套中氢氢气体被高电场强度的交流电场所激活,具有了化学活泼性。室温常压下的气体分子间发生频繁地碰撞,可引发化学反应。氢氢气体放电合成了氨NH_3。 对氮氢气体放电合成氨的转化率影响较大的有:a.放电频率,b.当放电频率固定为20KHz时,电源的输出电压值,c.氮氢气体混合比。 相似文献
934.
利用光纤抗电磁干扰、绝缘性好, 体积小等特性,提出一种新型的光纤电流传感器. 该传感器将悬臂梁结构和光纤Fabry-Perot相结合,基于材料力学理论和电磁感应原理,利用Fabry-Perot干涉仪原理来实现对电流的测量. 在解调方式上采用了相位解调法,分析了该传感器的工作原理及光纤F-P的测量原理,建立了光纤F-P腔的数学模型,推导出电流检测理论公式,并进行了相关实验,证明该电流传感器具有绝缘性好、结构简单、灵敏度高等优点. 相似文献
935.
电力系统低频振荡在线辨识的改进Prony算法 总被引:57,自引:0,他引:57
研究在线的振荡特征辨识算法是实现电力系统低频振荡在线监视以及广域阻尼控制的重要理论基础。广域测量系统的发展和应用使得低频振荡的在线辨识成为可能。该文提出了一种用于在线分析电力系统低频振荡的改进Prony算法,该算法针对输入信号的实际阶数和线性预测参数的估计进行了综合改进。经过算法时间复杂度的分析,证明改进算法提高了计算速度。计算机仿真和动模实验结果表明,改进算法能够得到更符合系统实际阶数的降阶模型,分析计算占空比小于4%,满足在线低频振荡辨识和系统振荡特性分析的需要。 相似文献
936.
李旗 《西安理工大学学报》2004,20(2):215-218
电磁轴承的感性负载直接影响着高速轴承-转子系统抗干扰能力。分析了电流反馈对电磁轴承转子系统高频控制信号的影响,在此基础上提出引入电流反馈后,电磁轴承必须采用双极性开关功放结构.才能有效提高系统高频动刚度。对某高速磁浮内圆磨系统进行了动态仿真,比较了引入电流反馈后,系统高频控制信号的波形以及功放结构对系统动刚度的影响,仿真结果与理论分析一致。 相似文献
937.
郎兵 《北京交通大学学报(自然科学版)》2009,33(5)
分析了直流牵引供电系统馈线保护的配置,指出了其中电流上升率保护和电流增量保护存在的问题,在此基础上将两种保护相结合,提出了电流上升率与电流增量综合保护,分析了该综合保护的整定原则和保护原理,以北京地铁系统为例,结合牵引网模型,分析了电流上升率与电流增量综合保护的具体应用. 相似文献
938.
列波兰变压器功率差动保护的探究 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了改进列波兰变压器传统数字式保护的可行性。目前列波兰变压器仍以二次谐波制动的比率差动保护为主保护 ,励磁涌流的存在使得该保护的可靠性降低 ,而功率差动保护在励磁涌流发生一个周期后就不受其影响 ,故能够快速准确地分辨出区内故障。通过将功率差动保护与其他保护的配合使用 ,在实际系统中可以达到比较理想的结果 ,具有较大的实用价值。 相似文献
939.
安徽省篮球运动现状与发展对策的研究 总被引:7,自引:4,他引:7
何斌 《安徽师范大学学报(自然科学版)》2004,27(3):353-356
通过对安徽省竞技篮球运动、学校篮球运动、群众篮球运动的现状和存在问题进行调查与分析,在此基础上,为安徽省篮球运动的发展,在篮球运动发展战略,篮球市场培育,运动员和教练员水平提高等方面,提出了发展对策和措施. 相似文献
940.
基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中. 相似文献