界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

棉花膜下滴灌田间小气候规律的试验研究

试验研究表明，棉花膜下滴灌的田间小气候优于普通沟灌，在光、温、水等方面能够较好配置，从而可充分利用光热资源，提高棉花的产量和品质。     

有机极化电致发光进展

对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用     

螺吡喃吲哚啉类光致变色化合物的合成与LB膜研究

合成了光致变色化合物6′-硝基-1-乙基-8′-二十二酸甲酯-3,3-二甲基螺[2H-1-苯并吡喃-2′,2-吲哚啉)(简称SP2-22)和6′-硝基-1-十八烷基-8′-二十二酸甲酯-3,3-二甲基螺[2H-1-苯并吡喃-2′,2-吲哚啉](简称SP18-22)。制备了单分子层的Langmuir-Blodgett Films(简称LB膜)。根据膜的表面压力-面积等温曲线(π-A),研究了光线、温度、pH值及掺入正-十八烷的量等因素对SP18-22成膜性能的影响,发现了当成膜组分中SP18-22与正-十八烷的摩尔比为1:2时,其成膜性能最佳。     

氮化钛薄膜的x射线分析

用x射线衍射法对由磁控溅射生成的氮化钛薄膜进行了结构、晶粒大小和应力分析,结果表明,薄膜的结构和性质与形成条件密切相关。     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。     

CNX薄膜的PCVD制备及研究

ＣＮＸ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法，制备了含氮量的２１ａｔ％的ＣＮＸ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜听屡元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｂ，Ｃ－Ｎ键的形成与碳结合。     

SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响

以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在     

Studies on Wear and corrosion resistances of carbon nitride thin films on Ti alloy

0　IntroductionArtificialarthrosiseshavebeenwidelyusedintheoperatorsclinicalsurgeriesforthepatientswhosearthrosiseswerese riouslyseverelydamaged.Butmostofartificialarthrosisescanon lybeusedforabouttenyearslongduetotheseriousabrasion .Forthisreason ,theimprovementofthelongevityofartificialarthrosisbecomesanimportantsubjectofstudy .TheartificialarthrosisesbeingmadeupofTialloyTC4(Ti 6Al 4V)andthepolythenewithultrahighmolecularweighthavegreatpotentialitiesonim provinglongevitybecauseTC4canreac…     

Ultraviolet photoluminescence of porous anodic alumina films

Photoluminescence (PL) properties of porous anodic alumina (PAA) films prepared by using electrochemical anodization technique in a mixed solution of oxalic and sulfuric acid have been investigated. The PAA films have an intensive ultraviolet PL emission around 350 nm, of which a possible PL mechanism has been proposed. It was found that the incorporated oxalic ions, which could transform into PL centers and exist in the PAA films, are responsible for this ultraviolet PL emission.