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31.
渗硼金刚石薄膜电极用于有机废水降解的实验 总被引:2,自引:0,他引:2
为了研究渗硼金刚石薄膜电极电化学性能以及用于含有机污染物的废水处理的可行性,采用循环电解的方法,对含苯酚的废水进行了电化学氧化实验,同时与活性涂层钛阳极进行了对比实验研究,考察了阴极的可替代性,最后用两种电极对含苯胺的工业废水进行了对比实验。实验结果表明,金刚石电极不仅具有优越的电化学性能和优异的电化学指标,而且可以用于电化学废水处理;同时,用钛电极代替金刚石作阴极经济可行。 相似文献
32.
进入21世纪,中国喜剧电影飞速发展,显示出与以往不同的时代特征.“民间”成分在喜剧电影中逐渐增多,喜剧电影在题材的选择、喜剧效果的营造、小人物形象的塑造等方面都日益突显其“民间意识”. 相似文献
33.
研究了用十甲基环五硅氧烷和三氟甲烷电子回旋共振等离子体沉积的掺FSiCOH低k薄膜中,CHF,/DMCPS比对薄膜结构、成分、介电性能、热稳定性和憎水性的影响.结果表明,随着CHF,/DMCPS比的增大,沉积的薄膜从SiCOH向F-SiCOH和a—C:F:H转变.对于F-SiCOH薄膜,在获得较低介电常数的前提下,薄膜热稳定性和憎水性得到改善. 相似文献
34.
采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1~0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小. 相似文献
35.
SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层机理 总被引:4,自引:0,他引:4
对SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层硬脂酸的成膜机理进行了研究.采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对涂覆后合金粉末的形貌及结构进行观测,采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)对涂覆后粉末的透射吸收谱和光电子能量进行测试.结果表明:硬脂酸在合金粉末表面形成一层均匀致密、厚度为5~10 nm的薄膜,硬脂酸涂层SnAgCu合金粉末的行为属于物理吸附行为,其生长方式遵循岛状生长机理模式,其过程实质是一个气--固转换、晶体生长的过程. 相似文献
36.
在700℃炉冷、870℃空冷和炉冷三种热处理条件下,制备了氧化铱pH微电极,并对比了微电极的线性范围及响应时间.结果表明:热处理条件对Ir氧化物膜的均匀性有很大影响,进而影响其开路电位的稳定性及响应速度.700℃炉冷和870℃空冷制得的电极氧化膜表面粗糙,孔隙率不均匀并伴随有裂纹;而870℃炉冷条件下制得的电极具有表面氧化膜均匀、响应时间短以及线性好等优点.铱氧化物的形成机理是Ir丝被空气中的O2氧化,而高温Li2CO3起到一种溶剂的作用.铱氧化物电极的H+响应是由于电极表面水合氧化铱与溶液中H+发生化学反应,反应为Ir4+与Ir3+之间的转变. 相似文献
37.
采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比(1/10~2/3)制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1:1,其化学配比为BCx N(0.16<x<1.46).紫外/可见/近红外分光光度计用于测量样品的吸收光谱.由吸收谱线在低能区域(2.0~3.0 eV)的光吸收,利用关系作图法求出光学带隙Eopt范围为0.17~0.83 eV.氮气分压比对薄膜的组分和光学带隙有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响光学带隙,并且碳原子数小的样品具有较宽的光学带隙.以氮气分压比为1/3条件下制备的样品中碳原子数最小,它的光学带隙最宽为0.83 eV. 相似文献
38.
采用磁控溅射法,选用LaNiO3(LNO)作为缓冲层和电极层,在硅基片上成功地制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)铁电薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜具有沿(110)方向择优取向的钙钛矿结构.利用NKD光谱测试仪测试了薄膜的反射谱,并使用最小二乘法进行拟合分析得到其折射率和消光系数.在沉积温度为500℃时,薄膜具有更为均匀和致密的微观结构.在波长为633 nm时,该薄膜的折射率大小为2.41.薄膜的折射率和消光系数随着光子能量的增加而增加.薄膜的这些光学特性使其有望在低压电光转换器、光波导等器件中应用. 相似文献
39.
利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80... 相似文献
40.
基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响. 相似文献