全文获取类型
收费全文 | 1034篇 |
免费 | 41篇 |
国内免费 | 87篇 |
专业分类
丛书文集 | 23篇 |
教育与普及 | 3篇 |
现状及发展 | 9篇 |
综合类 | 1127篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 33篇 |
2014年 | 38篇 |
2013年 | 31篇 |
2012年 | 56篇 |
2011年 | 65篇 |
2010年 | 54篇 |
2009年 | 58篇 |
2008年 | 56篇 |
2007年 | 81篇 |
2006年 | 77篇 |
2005年 | 67篇 |
2004年 | 53篇 |
2003年 | 60篇 |
2002年 | 45篇 |
2001年 | 33篇 |
2000年 | 36篇 |
1999年 | 44篇 |
1998年 | 26篇 |
1997年 | 33篇 |
1996年 | 30篇 |
1995年 | 31篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 27篇 |
1991年 | 12篇 |
1990年 | 12篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有1162条查询结果,搜索用时 265 毫秒
101.
本文介绍了以电泳涂敷法制成的较薄玻璃膜为介质膜的金属—玻璃—半导体(MGs)结构的C—V特性测量,介绍了离子探针(IMA)测量玻璃膜的性质以及运用计算机进行曲线拟合。结果表明,Zn系玻璃膜的负电荷密度和其热成型过程的气氛和温度处理有关。Na~+离子主要聚集在玻璃膜内靠表面一侧,其随深度分布趋势接近指数函数。作者研制了内层玻璃钝化高压PN结器件,测量得到了良好的电特性。 相似文献
102.
目的研究在Ni(100)基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理。方法采用X-射线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论(EET)的键距差(BLD)方法,计算Ni(100)晶面、Ag和Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差。结果X-射线衍射分析结果表明,在Ni(100)基体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为(111),其次依次为(100)和(110)。计算结果表明,2个晶面的电子密度差越小,相应的择优取向越强。结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上沉积薄膜的择优取向的产生机理。 相似文献
103.
用偏振FTIR-ATR方法研究1~9层花生酸铒LB膜结构,结果表明,在适当条件下花生酸铒可以形成稳定的LB膜。利用单轴及双轴取向模型分析了不同层数LB膜的结构与取向,1层与3层以上的花生酸铒LB膜的结构是不同的。单层LB膜内脂链的取向角为39°,并且是双轴分布,在xy轴投影的角度为41°,3层以上花生酸铒LB膜的结构为单轴取向,取向角为21°。 相似文献
104.
本文介绍了一种记录仪滑线电阻用有机导电膜的研制及其电阻率、温度系数、粘度和老化性能的测量. 相似文献
105.
《科学通报(英文版)》1996,41(19):1659-1659
106.
M-I型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了M I型纳米颗粒膜的制备手段和测量方法 ,将M I型纳米颗粒膜分为三个结构区域 ,推导了M I型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应的计算公式。 相似文献
107.
对LL-PCVD(真空负载保护等离子体化学气相沉积系统)进行了计算机控制的改进,改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了nc-Si∶H薄膜。讨论了关键的技术问题 相似文献
108.
用异淀粉酶改进淀粉膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用异淀粉酶可使淀粉中的支淀粉脱支而形成链淀粉,从而提高淀粉膜的成膜性能及强度。本文用正交试验法研究异淀粉酶对马铃薯淀粉脱支的作用条件,并描绘了异淀粉酶的作用时间与膜的抗张强度、伸长百分率、耐折度、透湿性、链淀粉含量的关系曲线,为制取性能好的食用淀粉膜提供依据。 相似文献
109.
使用355 nm YAG皮秒脉冲激光对250 nm厚的非晶硅薄膜进行激光晶化的研究,并利用金相显微镜、拉曼光谱和X射线能谱(EDS: energy dispersive spectrometer)等对晶化样品进行了分析。结果表明:随着激光脉冲能量的增加,完全熔区和部分熔区的宽度均明显增大。在所研究的脉冲能量范围内(15 μJ—860 μJ),所有样品的完全熔区的拉曼光谱均无非晶硅或晶体硅的特征峰,而位于完全熔区边缘的部分熔区的拉曼光谱却显示出晶体硅的特征峰,这可能是因为完全熔区接受到的激光能流密度过大,造成区内绝大部分非晶硅薄膜气化蒸发。这个推测进一步得到了X射线能谱分析结果的证实。X射线能谱分析结果表明,完全熔区的成份主要是玻璃与硅反应生成的硅化物,其表面被二氧化硅层所覆盖。 相似文献
110.
Ferroelectric Bi3.15Nd0.85Ti3O12 (BNT) thin films have been grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates at 750 ℃ by a chemical solution deposition method using SrTiO3 (STO) as a buffer layer.The influence of STO... 相似文献