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221.
通过水热法合成了YF3∶Yb3+,Er3+纳米簇,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对簇状结构进行观察,研究其上转换发光性质.结果表明,样品在978 nm LD激发下,具有很强的蓝色(4F5/2→4I15/2和2P3/2→4I11/2)和绿色(4S3/2,2H11/2→4I15/2)上转换发射光;样品的上转换发光强度随激发功率的不同而变化,表明绿色、蓝色上转换发光分别属于双光子和三光子能量传递过程. 相似文献
222.
从1,3,5-均苯三甲酸出发,制备了一系列铽及镧铽均苯三甲酸发光配合物LaxTb1-x(BTC)·nH2O(x=0,0.1~0.5,0.8).通过红外光谱、元素分析确定了其组成,并研究了其配合物荧光光谱.结果表明:不发光的La3 对发光的Tb3 的荧光强度有明显增强作用,当n(La3 ):n(Tb3 )=0.3:0.7时,荧光强度达到最大值. 相似文献
223.
首次采用微波法合成了Sr2CeO4/Ln3 (Ln=Er,Ho,Tm)荧光体.研究了样品的荧光性质,并观察到Er3 ,Ho3 ,Tm3 掺杂的Sr2CeO4材料的上转换发光现象.荧光光谱证实,存在基质Sr2CeO4向稀土离子Ln3 的能量传递. 相似文献
224.
225.
采用溶胶- 凝胶法合成出了Al2O3-SiO2∶Ln3+ (Ln= Eu,Tb)发光陶瓷粉末.利用XRD、TG-DTA和IR等实验技术,研究了发光陶瓷的形成过程,并对其发光行为进行了研究. 相似文献
226.
文中在分析现有的相对辐射校正方法的局限性基础上,提出了一种基于分段辐射校正的星载TDI-CCD成像数据辐射处理方法.该方法利用实验室定标数据对探元不同感光范围的光电响应模式采用不同的模型进行拟合,从而提高定标系数或者查找表的拟合精度.文中选取资源1号02BHR光学影像进行实验,实验结果表明文中提出的方法与现有的方法相比有较大提高. 相似文献
227.
改进了传统的制备钒磷酸钇铀荧光粉的方法,采用化学共沉淀法,制备出掺有新组份A12O3的红色荧光粉(YEu)(PV)O4.对所得样品的发射光谱进行了测试,并探索了制备红色荧光粉的最佳条件:激活剂Eu3 的浓度为4%,助溶剂的加入量以0.5%,Al2O3的掺入比例为8%,灼烧温度为1 250℃,时间为2 h.结果表明,所制备的荧光粉发光强度有所提高,同时由于稀土含量的相对减少,降低了成本,有利于扩大推广应用. 相似文献
228.
采用水热合成法,以Cd(Ⅱ)离子为配位中心,均四苯甲酸为配体,合成了1种具有2D无限结构的Cd(Ⅱ)配位聚合物[Cd(btec)0.5(H2O)3]n(H4btec=均四苯甲酸),并得到了它的单晶体.通过X-射线单晶衍射,确定了该配聚物的晶体结构.单晶结构分析表明,该配聚物属于三斜晶系,P-1空间群.在晶体中,中心金属Cd(Ⅱ)离子为6配位,被桥联配体均四苯甲酸根以2种配位模式连接起来,使其在ac面上形成2D层状结构,而层与层之间则是通过O-H…O型氢键被进一步连成3D氢键网络结构.在室温下,测定了配聚物固态粉末的IR(红外),UV-Vis(紫外-可见),荧光激发和发射光谱,并对各光谱进行了分析指认.以λEx=330nm的光激发,该配聚物在375~500nm处可发射较强的蓝色光,光物理研究表明,该发射带是源于配体的LLCT(Ligand-to-Ligand chargeTransfer,配体到配体的电荷转移)发光. 相似文献
229.
Ce~(3+)和Tb~(3+)掺杂的BaO-La_2O_3-B_2O_3-SiO_2玻璃的发光性质 总被引:2,自引:1,他引:2
采用传统熔体冷却技术制备Ce~(3+)和Tb~(3+)掺杂的BaO-La_2O~3-B_2O_3-SiO_2玻璃,并测试样品的吸收光谱和荧光光谱.实验结果表明:由于Ce~(3+)在5d-4f轨道之间的电子跃迁,基础玻璃掺Ce~(3+)后吸收截止边明显红移;掺Ce~(3+)的BaO-La_2O_3-B_2O_3-SiO_2玻璃的荧光发射光谱为峰值位于410 nm附近的宽带,对应于Ce~(3+)的5d-4f跃迁;由于SiO~2比B_2O_3的光碱度大,玻璃的荧光发射波长,体现出随硼硅比的降低而略有红移;还原性气氛有利十提高玻璃中Ce~(3+)的含量,从而增强发光强度;对Ce~(3+)和Tb~(3+)共掺玻璃,Ce~(3+)和Tb~(3+)在波长200-311 nm间有激发带重叠,因存在竞争吸收,导致以此区间波长激发时Tb~(3+)的发光有所减弱;Ce~(3+)和Tb~(3+)在311-444 nm间也有激发带(或激发带与发射带)部分重叠,因Ce~(3+)和Tb~(3+)之间存在的辐射和无辐射能量传递导致Ce~(3+)强烈敏化Tb~(3+)的发光. 相似文献
230.
半导体发光二极管的研究与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上,。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅(PS)等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理,发光二极管的结构与特性,并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。 相似文献