球磨中B_2型FeAl的嵌镶碎化和长程有序度

研究了Ｂ２型金属间化合物 ＦｅＡｌ在机械球磨过程中的嵌镶碎块尺寸与长程有序度之间的关系。发现随球磨时间的增长，嵌镶碎块尺寸和长程有序度同时减小。由于嵌镶碎化主要由位错亚晶粒造成，应用Ｃｏｔｔｒｅｌｌ气团模型可建立嵌镶碎块尺寸与长程有序度之间的关系式。所得的这个关系式表明，长程有序度的降低主要是由位错与点阵原子的相互作用引起的。     

砂带平面磨削主要参数和残留量的试验研究

本文对接触板式砂带平面磨削主要机理参数和残留量进行了大量的试验研究,得出了接触板式砂带平面磨削时切屑变形分力比C、单位磨削力K_0、摩擦系数μ接触弧长L_c以及磨削残留量△y的特点.     

T902抗泡剂结构分析及性能研究

由高分子反应统计理论,结合~1H-NMR及(13)C-NMR方法,分析了T902抗泡剂的序列结构,获得了该三元无规共聚物分子的链段分布函数。系统研究了分子结构对消泡性能的影响,指出了改善抗泡剂配伍性能的正确途径。     

利用反射成像测量薄透镜材料的折射率

给出了一种利用透镜的球面反射像测量薄透镜的材料折射率的方法。     

甲醇与环己烷液—液系统的临界现象研究

利用光子相关动态光散射技术,研究甲醇与环己烷二元液-液系统临界点附近相关长度变化,符合 Ising 模型得出的幂律发散规律.还发现该系统在临界点附近的粘滞系数变化符合经验公式,但其幂律发散指数则比相关长度的幂律发散指数小得多.     

面向质量不合格率的CUSUM控制图参数优化设计

提出以质量不合格率这一质量指标为目的,优化CUSUM控制图的参数,建立了优化设计理论模型,提出了优化分析的流程,进行了实例分析和验证.给出了常规需要范围的质量不合格率的简单参数推荐表格.     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。