西藏班中职生英语学习动机研究

采用《中学生英语学习动机调查问卷》对西藏班中职生的英语学习动机进行调查。结果表明:(1)内部动机总体上高于外部动机,说明其英语学习的动机结构较为合理。内部动机各因子按得分高低依次为自我完善、责任心、兴趣、成就感、寻求学习机会,外部动机各因子按得分高低依次为功用价值、奖励或惩罚、群体态度、压力;(2)英语学习动机存在显著年级差异,年级与有关因子间呈动态关系,成就感随年级升高而下降,责任心、压力随年级升高而增大;(3)英语学习动机存在显著性别差异,女生高于男生;(4)英语学习动机存在显著水平差异,英语成绩好的学生在成就感、完善自我、寻求学习机会、功用价值等方面有较强表现。     

腐蚀铸铁管中饮用水水质变化规律试验研究

为了研究管网腐蚀、管垢对供水管网水质的影响,以28 a DN350无内衬灰口铸铁管为对象开展了腐蚀饮用水管道中水质变化规律的试验研究.研究表明:腐蚀管道中浊度、总铁等水质指标随水力停留时间的增长而增加,且总铁与浊度呈良好正相关关系,水中铁质量浓度升高取决于水中悬浮态铁的升高;且以上指标的变化均与水流速度有关,当水流速度大时,管中水质变化加速;用扫描电子显微镜(SEM)对C市供水管道腐蚀瘤结构进行微观形貌分析,可以将腐蚀瘤分为表面层、硬壳层和内核层3层;采用能量分散光谱法(EDS)和X荧光光谱仪(XRF)对腐蚀瘤化学成分进行分析,腐蚀瘤主要组成成分为铁的氧化物,即α-FeOOH,γ-FeOOH和Fe3O4.以上结果表明:管道腐蚀瘤的物理形态和力学强度易受水力条件的影响,其腐蚀成分在水流扰动下容易脱落释放,是导致管网水质二次污染的重要原因.     

全固态薄膜锂离子二次电池的研究进展

本文综述了全固态薄膜锂离子二次电池的研究进展,主要阐述了薄膜锂电池的结构设计以及正极、负极和固体电解质材料研究现状,并对其今后的发展趋势及研发热点进行了展望。     

用平行光测薄透镜焦距的一种新方法

基于薄透镜焦平面和副光轴的性质,提供了一种用平行光测量透镜焦距的新方法。该方法中的入射光平行于待测透镜的副光轴而非主光轴。该方法的利用可以加深对薄透镜主光轴、副光轴、焦平面等光学概念的理解和应用,进一步理解近轴成像的含义。     

关于职业中专数学教学的思考

职业中专肩负着培养实用型人才的重任,这对职业中专的数学教学提出了更高的要求．针对职业中专数学教学中存在学生学习兴趣不足,教学方法单一,教学内容与实际生活相脱节等问题,从创设情境法教学、分层递进教学、生活化教学等教学方法入手,以期提高教学质量．     

农村中小学生孤独的原因与对策分析

当今的中小学生越来越早地感受到孤独。当孩子长时间地处于孤独的状态时,容易引起心理疾病。父母要尽量多关心孩子,多创造有利的环境,让孩子远离孤独,健康成长。     

“严进宽出”职教背景下的中高职衔接模式思考

在对我国中高职现行主要衔接模式进行深入剖析的基础上,提出了针对我国高职教育"严进宽出"实际的、基于中期择优分流的"2+1+3"衔接模式,并对其实施保障进行了讨论。     

蒸汽发生器二回路过冷沸腾的数值模拟

为深入研究核电蒸汽发生器二回路侧汽液两相的沸腾传热和流动特性,采用RPI模型对过冷沸腾区域壁面的热流分配进行划分,以此修正CFD程序中的两流体模型,并利用文献中的实验结果验证了修正后模型的适定性.最后以大亚湾压水堆核电站为例,采用该模型对蒸汽发生器内二回路预热段单元通道内的过冷沸腾进行计算,获得了通道内流体空泡份额、速度、温度、热流量分配等的分布情况.     

NaA型分子筛膜的合成与渗透汽化性能研究

采用二次生长法,在多孔管状莫来石支撑体上合成了高性能的NaA型分子筛膜.利用SEM和XRD对合成的NaA型分子筛膜进行了结构表征.XRD结果表明,在莫来石支撑体上可形成纯的NaA型分子筛晶体;SEM结果表明支撑体外表面上形成了一层厚度为5～10μm的连续致密的分子筛膜.渗透汽化测试实验表明,在优化条件下合成的NaA型分子筛膜具有高的渗透通量和分离系数.在温度为75℃,原料液中乙醇质量分数为90%的条件下,其渗透通量和分离系数可分别高达2.85 kg·m-2·h-1和10 000.NaA型分子筛膜渗透通量受操作温度、原料液浓度变化的影响很大.当操作温度升高或原料液中水的浓度增加时,其渗透通量均显著增加.     

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.