TN低压配电系统单相接地故障的保护

介绍TN系统单相接地短路故障的保护;推导出了采用过流保护兼作接地故障保护时最大电缆允许长度的计算公式;新公式易于用电算工具进行批量计算,且计算结果对工程设计更具指导意义;同时对电缆长度过长导致保护电器不能可靠动作的情况进行了应对策略分析。     

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

基于DSP的传感器高压控制系统设计

静电力驱动在微机电系统中的应用十分广泛,但采用静电力驱动时所需控制电压较高。设计一种以定点数字信号处理器TMS320F2812为核心的传感器高压控制系统,采用USB2.0与PC机进行通讯,接收致动器所需控制电压,并控制D/A转换器输出,经过高压放大后施加到传感器上。测试表明USB传输速率可以达到20 Mbytes/s,D/A转换速率达到30 MHz,电压范围在(0—300)V之间,整个控制系统可以满足静电力控制传感器所需高压。     

GPS L1C信号的仿真分析

GPS L1C信号采用数据和导频双通道结构.基于Matlab仿真产生L1C信号并分析了数据、导频通道的自相关和频谱特性,两通道有类似的相关函数包络,导频通道自相关函数的旁峰相比数据通道向外偏移0.06个码片,相同的码相位范围内峰值变化更加剧烈,其相关峰的斜率比数据通道自相关函数高2.56dB,中心主峰更窄.比较了不同前端带宽下BPSK(1),BOC(1,1),BOC(6,1),TMBOC(6,1,4/33)调制信号的均方根带宽,理论上TMBOC(6,1,4/33)信号的跟踪精度相比L1C/A信号提高了57%.分析了次级码的相关特性.它具有强自相关性,有效降低卫星信号互相关函数的旁瓣,旁瓣比为27.4dB.研究表明L1C信号具有优良的跟踪精度和减少互相关干扰的潜能.     

重载流多芯电缆周围的磁场 Ⅰ. 理论模型

多芯电力电缆在低压配电系统中常被用作配电干线，这种重载流电缆周围的极低频磁场可能干扰附近敏感电子设备的正常运行，甚至影响暴露于该场下的人体的健康，为分析这种磁场的分布特性，建立了多芯电缆周围磁场的载流平行螺旋线模型，并推导了周围磁场的简化计算公式，基于所提出的理想模型对电缆周围电磁的特性进行了分析，发现在电缆的半径方向上磁场随距离衰减的速度大于指数衰减速度，在平行于电缆轴线的直线上和在电缆抽轴圆周线上，磁场的幅值和相角都随观测点的位置周期变化，理论计算结果表明，常用规格的多芯电力电缆在载额定电流的情况下，距电缆2m外空间中的磁场已小于有关国际标准的限值。     

大功率高压输入的IGBT高频直-直变换器

在高频高压输入的情况下,开关器件绝缘门极双极晶体管（ＩＧＢＴ）的耐压不能满足要求．文中论述了一种逆变单元串联的结构,它将输入的高电压分成几部分,每一部分有一个ＤＣＡＣ逆变器．此时,ＩＧＢＴ的工作电压等于各部分电压．为了提高输出功率,输出整流二极管通常并联连接,变压器的副边漏电感作为二极管的均流电感．并分析了高压输入的大功率ＤＣＤＣ逆变器的工作情况,同时给出了模拟结果和实验结果．     

基于塑性理论的湿陷性黄土本构模型

基于塑性理论,推导出湿陷性黄土湿陷变形本构模型,给出其矩阵表达式.基于ADINA分析软件,开发湿陷性黄土湿陷变形本构模型,给出湿陷性黄土湿陷本构模型开发方法及步骤.结合工程案例进行湿陷变形计算和固结分析,并用实测结果与大型非线性有限元软件ADINA模拟值进行比较.结果说明,该湿陷本构模型用于大厚度湿陷性黄土地区的分析和湿陷变形计算是可行的.     

铝及电解质对热压TiB_2(C)片的润湿性研究

为了探讨工业应用TiB_2阴极材料的途径,本文采用由中温炭还原法制得的TiB_2原料,在配入一定量的石墨成分后,将其热压成TiB_2(C)片,用高温可见光座滴法和X射线座滴法分别研究了1000℃时,铝电解质及电解质熔盐覆盖下的铝液对此种含炭TiB_2热压片润湿性,测得了非极化条件下有熔盐存在时,铝在纯TiB_2热压片上的润湿角近乎零度,铝在TiB_2(C)上的润湿角为10°左右,并讨论了铝对TiB_2(C)试样片的润湿机理。     

阻容型分压器在脉冲电容器放电特性研究中的应用

该文设计了一种包括脉冲电阻分压器和高压云母电容器的阻容型分压器，用于脉冲电容器放电特性的实验研究。在脉冲电容器充电过程中，高压云母电容器承受高电压；在脉冲电容器放电过程中，脉冲电容器的瞬变电压在脉冲电阻分压器上产生输出电压。通过合理设计阻容分压器的电容、电阻值，可以准确测量脉冲电容器的充电电压和放电波形。该文用阻容型分压器分析了一种脉冲电容器的放电特性。     

应用FLRDS技术测量多模光纤的弯曲损耗

光纤环形腔衰荡光谱技术是一种新颖的吸收光谱技术,具有灵敏度高,信噪比强等优点.利用这种技术可以实现环形腔内光损耗的测量.对多模光纤的弯曲损耗进行了定量测量和分析.