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241.
介绍截平面倾斜于圆环回转轴线、θ=45°的截交线方程,圆环形管道观察孔的CAD方法及下料加工.  相似文献   
242.
积极开展艺术教育全面提高学生素质   总被引:1,自引:0,他引:1  
全面推进素质教育是贯彻党的教育方针的具体体现。积极开展艺术教育是文化素质教育中的一个重要环节。进一步明确加强艺术教育的必要性以及艺术教育的培养目标、基本任务和有效途径;发挥共青团优势,因地制宜地开展好艺术教育。  相似文献   
243.
给出Rijndael高级密码标准方法的代数描述.首先针对最常用的AES-128给出单次循环中两个主要步骤Sboxes和key Schedule的代数描述,然后利用结果推导单次循环的表达式,并将其合理组合归纳得多次循环.之后推广至AES-192和AES-256,并探讨可行性.最后简单讨论该代数描述方法的计算机实现.  相似文献   
244.
推导圆孔翻边变形区参数型(罗代参数)的应力和应变的解析解。计算时,板料的真实应力一应变曲线拟合为幂强化函数型。由于塑性成型是大变形问题,应变采用对数应变,本构关系也宜简化为忽略弹性变形部分的全量理论。在此基础上,结合实际算例,提出一种翻边力的计算方法。  相似文献   
245.
采用流体模型研究了一种五电极交流等离子体显示板(AC PDP)的单点触发放电过程及其真空紫外线(VUV)的辐射特性.数值模拟结果表明,在放电期间恰当地调整电极上的驱动电位,可以改变介质层表面电荷积累,获得较高的壁电压.通过数值模拟还获得了五电极AC PDP维持放电期间的VUV辐射效率,其中173 nm的VUV辐射占总真空紫外辐射效率的27%,有利于提高AC PDP的发光效率.  相似文献   
246.
等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究.试验结果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异.少数工艺下得到的MgO的(111)衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132.2 V;而在其它的基板温度和沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1%以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电压均高于140 V.另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变.  相似文献   
247.
介绍了求解圆度误差的三点误差分离原理及其方程的推导和一种在Windows系统下的进行数据采集、数据分析的方法。并把这种方法与三点圆度误差分离原理相结合,运用于实际圆度误差检测系统中,解决了在DOS系统下进行圆度误差检测可视化性不好和操作不便的不足.  相似文献   
248.
结合印刷企业中央空调系统的工艺特点,本文描述了基于西门子S7—200系列可编程序控制器CPU224、工业现场总线(PROFIBUS)、USS通用串行接口标准协议、组态软件WINCC5.0等构成的集成控制系统,详细介绍了控制系统结构、原理及控制系统在空调自动控制中的实际应用.  相似文献   
249.
小角度测量的光学方法及应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
光学测角法是高精度动态角度测量的一种有效的解决途径.对目前发展较快的几种小角度测量的光学方法——圆光栅测角法、光学内反射小角度测量法和激光干涉测角法进行了介绍.对光学测角法在舰船甲板变形测量中的应用进行了详细的阐述.  相似文献   
250.
设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV—NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV—PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求。  相似文献   
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