新型真空断路器触头材料Cu－Cr－C的研究

根据合金的微观结构设计思路，采用真空热碳还原法，用国产高氧Ｃｒ粉制备出低氧、优质ＣｕＣｒ真空断路器触头合金，解决了Ｃｒ粉国产化的问题，研究结果表明，加入１％～２％（质量）的Ｃ，大大改善了ＣｕＣｒ合金的抗熔焊性能而又不影响其耐电压强度和分断能力，解决了国内外长期未能解决的ＣｕＣｒ合金的抗熔焊问题．     

CuCr真空触头材料的抗熔焊性能研究

测定了不同ＣｕＣｒ触头合金的基体强度和熔焊焊缝强度，通过扫描电子显微镜观察了其断口形貌，从而分析ＣｕＣｒ合金中脆性碳化物相对其抗熔焊性能的影响，讨论了碳化物相引入后ＣｕＣｒ合金的抗熔焊机理，同时还讨论了碳化物相对ＣｕＣｒ合金耐电压强度的影响。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

汞润触点继电器超小型化技术的研究

采用积分模型等效磁路的方法对继电器的电磁系统进行了分析计算和实验研究。为了提高计算精度，提出了等效漏磁阻修正系数的计算公式。考虑了实践中的物理和工艺方面诸因素，对结构参量进行了合理调整，研制成常开触点型和转换触点型超小型汞润触点开关管和继电器。     

奥贝球铁接触疲劳破坏形式的研究

研究了奥贝球铁的接触疲劳破坏形式，应用铁谱技术分析了接触疲劳过程。试 验表明：奥贝球铁接触疲劳破坏形式取决于载荷。在重载条件下（寿命小于 ５× １０６ 次），其破坏形式为片状剥落；在轻载条件下，破坏形式为麻点剥落。疲劳裂纹是在 表面石墨空穴的边角处萌生，并向深处扩展。接触疲劳磨损分三个阶段：磨合阶段， 正常磨损阶段及疲劳磨损阶段。应用铁谱技术可以预测寿命。奥氏体的存在对奥贝球 铁接触疲劳性能有不同的影响。     

继电保护装置常用电路元件及电磁继电器的数字仿真研究

本文采用四阶吉尔(Gear-4)算法建立了保护装置中常用电路元件及电磁分继电器线圈的友模,提出了电磁继电器用其电路的友模节点方程与其机械运动部分的微方程的接口算法,从而使友模法能更精确地求解含有电磁继电器的继电保护装置的暂态过程。经算例验证,本接口算法是简便、有效的。     

奥氏体-贝氏体球墨铸铁的组织和性能

本文研究了一种新型球铁,即高强度、高韧性奥氏体-贝氏体球铁。通过正交试验选择热处理参数,并进一步考察了不同等温淬火温度和时间对组织和性能的影响。为了考察奥氏体-贝氏体球铁的可靠性和使用寿命,还进行了延性断裂韧度与接触疲劳性能的试验。实验结果表明,奥氏体-贝氏体球铁具有很好的断裂韧性和接触疲劳强度。本文还探讨了奥氏体-贝氏体球铁性能优异的原因。     

背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。     

锥面包络圆柱蜗杆传动可控失配修形的研究

对锥面包络圆柱蜗杆传动（ZK蜗杆传动）进行了可控修形，分析了修形传动的基本原理。提出了通过改变蜗杆齿面接触的位置及曲率修正量来改变传动的齿面接触状态的方法，修形加工可通过改变砂轮的几何尺寸及安装参数来实现。     

锥面包络环面蜗杆与直廓环面蜗轮失配啮合传动的研究

提出了用锥面和直线分别展成蜗杆和蜗轮滚，获得失配点啮合环面蜗杆传动的方法。分析了该失配合传动的基本原理。求解了蜗轮融的齿面接触状态和加工工艺参数。结果表明失配啮合传动呆实现良好的点接触。