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581.
用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照
射时13C的自旋晶格弛豫过程. 理论分析表明, 在1H受到射频场照射时, 13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程, 但在特定实验条件下可以变为单指数过程. 数值模拟可显示出满足TC1H1和T C1>TH1条件的
13C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13C自旋晶 格弛豫的影响. 通过实验观察固体L-缬氨酸的甲13C自旋晶格弛豫过程, 测定 相应的弛豫时间. 所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合. 相似文献
582.
本文研究了等离子聚合和等离子掺杂聚乙烯薄膜的介电、光学特性和光电效应.结果表明,等离子聚合薄膜在组成结构和性能上不同于化学聚合薄膜.氮进入聚乙烯薄膜使击穿强度提高、电频及光频区介电常数增大,暗电导率与光电导率都有明显降低.硅进入聚乙烯薄膜却使击穿强度下降、暗电导率减小、光电导率提高约两个数量级.研究认为:氮、硅掺杂的不同影响是由于引入了不同的电子陷阱能级所造成的.文中还报导了掺硅聚乙烯薄膜的异常光伏效应现象. 相似文献
583.
文超 《北京交通大学学报(自然科学版)》1990,(2)
本文完善了适用于非晶态体系的、发生在实际路径上的连续时间无规行走的物理模型,并建立了它的微观动力学形式.首次从物理上严格导出了在色散输运和弛豫过程中起重要作用的两类等待时间分布函数. 相似文献
584.
使用相空间矩方法研究了模型分子AH_α(α=2~4)内振动能量的转移过程.结果表明,耦合的键模数越少,单键模被激发得越高,局域模行为就越显著;而当键模非谐性小时,非谐性的大小对键模能的局域化影响不大.计算还表明,由Si,Ge或Sn组成的AH_α分子(α=2~4),其中一个键模被激发到第3振动激发态时的振动态可能是局域态. 相似文献
585.
本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的. 相似文献
586.
变形奥氏体等温弛豫过程中的位错组态演化 总被引:3,自引:3,他引:0
利用透射电子显微术(TEM),对Fe-Ni-Nb-Ti-C合金变形后等温弛豫过程中的位错结构变化以及应变诱导析出行为进行了观察分析。结果表明:变形过程中产生的高密度、分布混乱的位错,通过位错重组和多边形化过程,逐渐形成较为完整的位错胞状结构。应变诱导析出阻碍了位错的演变发展过程。在弛豫阶段后期(大约200s),位错大部分脱离钉扎,位错胞演化成为尺寸较大的亚晶结构。 相似文献
587.
一种省际邮件转运网络设计的模型与算法 总被引:2,自引:0,他引:2
针对中国邮政系统省际邮件运输网络提出了一种带时间窗口的有容量限制网络设计问题,为其建立了一个线性0-1规划模型,并给出基于Lagrange松弛的分支定界算法. 相似文献
588.
研究了钡离子 A 位固溶铌镁酸铝(PMN)基多晶体的弛豫特性及其表征方法。实验发现,钡离子的 A 位固溶,增强丁 Pb(Mg,Nb,zr,Ti)O_3(简称 PMNZT)多晶体的相变弛豫程度,提高了介电系数温度稳定性。对于 PMNZT-BT 多晶体,随着 PT/PZ 摩尔数的增加,材料弛豫程度减小。结果表明,Pb(Mg,Nb,zr,Ti)O_3-BT 的介电系数温度关系不同程度地偏离“二次方律:(1/K-1/K_m)=(T-Tecav)~2/2δ~2,而服从经验规律:“(1/K-1/K_n)=C~(-1) (T-TC(?)~γ”。随着钡离子 A 位固溶量的增加,材料弛豫程度越来越大,介电系数温度关系偏离“二次方律”的程度越来越小,临界指数 y 越来越接近于2。与△T_(?)一样,γ值可用于表征材料的相变弛豫程度及介电系数温度稳定性。 相似文献
589.
590.
考虑到非稳成热传导问题,从双曲型热传导方程和相应的边界条件出发,利用反演算法对深化工不均匀固体样品的热学参数深度剖面予以重构、所采用的算法与过去处理稳态(或准稳态)的抛物型热传导方程的情况类似,不同的是通过 解双曲型热传导方程,在足够宽的调制频率范围内,获取样品的一组不同频率的表面温度,为使数值更接受实际情况,同样也可以在模拟样品表面温度信号中混入一定比例的噪声,利用本的算法,反演不同类型的深度分布材料的势驰豫参数的深度剖面,数值模拟的结果证明了算法的有效性和实用性,本的算法有两个特点,一是无需任何先验条件,二是该算法对噪声的不敏感性。 相似文献