厚介质情况下单光束扫描法的研究

用衍射理论研究了厚介质情况下的Ｚ－ｓｃａｎ法。考虑到非线性介质对在其中传播的光束波阵面产生的畸变而引入附加因子，通过衍射积分进行数值计算，分析了介质厚度及线性吸收对归一化透射率的影响，结果同文献中的实验结果一致     

折光率法测定煤焦油中酚类的含量

本文提出了用折光率法测定煤焦油中酚类的含量。实验结果表明,煤焦油中酚含量与其折光率呈线性关系。该法与碱增量法测定煤焦油中酚含量,做对比实验、其误差小于2%.     

使用混合高渗制剂提高OCT的探测深度和清晰度

用高渗制剂可提高光学相干层析成像(OCT)的探测深度.然而单一高渗制剂由于个体敏感性差异而效果不够稳定,为此提出了使用混合高渗制剂涂敷在被测表面以增透并提高其稳定性.使用自行建立的OCT系统对涂敷100%丙三醇和饱和葡萄糖混合制剂、100%丙三醇和50%丙三醇前后的被测样本成像并记录参数.实验结果显示可降低表层组织散射强度,提高探测深度(约为原探测深度的2倍)和组织结构的可读性,并初步验证混合高渗剂(σ=0.038)较单一高渗制剂(σ=0.084)具有更均一的人体敏感性.     

酸和酚类化合物折光指数的拓扑研究

定义了原子特征值iβ和iδ,由iβ建构连接性指数mX,由iδ建构基团染色指数mL,运用定量结构-性质相关技术研究了70种酸类和酚类化合物分子的折光指数与分子结构间的定量关系.通过多元回归的方法建立了mX和mL与折光指数的定量结构-性质相关模型.对酸类和酚类化合物折光指数的预测值与实验值的平均相对误差为1.59%,研究结果表明模型具有很好的稳定性和预测功能.     

ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

利用射频磁控溅射镀膜工艺，在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜．采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析．研究结果表明：该薄膜具有良好的C轴取向结晶度；最佳激发波长为265．00nnl，光致发光峰分别位于362．00、421．06和486．06nm；437cm^-1是ZnO晶体的特征拉曼峰，该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应；薄膜折射率为2．01．     

Characterization of refractive index distribution of polymer optical fiber

A focusing method is developed to characterize the refractive index profile of polymer optical fiber (POF). Based on the refractive index profile the theoretical bandwidth and the core index exponentα (α > 0) of POF are calculated. The results show that the value of theoretical bandwidth agrees well with the experimental data.     

电荷耦合器件型折射率测定仪的研制

基于折射定律设计光路，利用线阵电荷耦合器件（CCD）对光斑位移进行检测，研制成功小型的能够测量透明介质折射率的仪器，设计的测量折射率的范围显著增加．介绍了该仪器设计的基本原理、使用方法，并通过对一些材料折射率的测量，证明其具有较高的测量准确性．     

一个研究型实验项目的探讨--利用迈克耳逊干涉仪测气体折射率

“研究型”物理实验的开设对激发学生的求知欲、拓宽其知识面、培养其创新思维能力等方面具有重要意义.文章以迈克耳逊干涉仪实验为例,通过在实验装置中增设可调压强的气室和CCD图像采集系统,实现对干涉图样的实时观察和气体折射率的较精确测量.实验设计还考虑到了实验内容及其难度的可深入与拓展空间,具有很强的研究型实验特点,并且可以根据适当的教学设计将此实验开设成综合性或设计性实验.     

Microstructure and properties of indium tin oxide thin films deposited by RF-magnetron sputtering

Tin-doped indium oxide （ITO） thin films were prepared using conventional radio frequency （RF） planar magnetron sputtering equipped with IR irradiation using a ceramic target of In2O3/SnO2 with a mass ratio of 1：1 at various IR irradiation temperatures T1 （from room temperature to 400 ℃ ）. The refractive index, deposited ratio, and resistivity are functions of the sputtering Ar gas pressure. The microstructure of ITO thin films is related to IR T are amorphous at the temperature ranging from 1, the crystalline seeds appear at T1 = 300℃, and the films 27 ℃ to 400 ℃.