基于倍压整流电路的高压交流电源设计

传统高压交流电源通常由高频交流(HF)变压器、整流滤波电路和逆变桥正弦脉宽调制(SPWM)主电路组成。设计高频高压变压器是传统高压交流电源设计中的难点。提出一种新型小功率高压交流开关电源设计方案,采用倍压整流技术和升压斩波(BOOST)电路实现升压,避免了设计高频高压变压器时的绝缘距离受限制、空载电流过大,高频振荡回路可靠性低等问题,简化小功率高压交流电源拓扑结构,具有设计简洁,稳定可靠的优点。     

二元精馏中最小回流比的计算

该文得出了二元精馏计算中进料状态参数为任意值时最小回流比Ｒ＿ｍ的计算方法。当ｑ＝０与１时，其计算结果与常规方法计算所得结果完全一致。     

单分子电子输运性质的设计与调控

本研究通过实验结合理论研究,展示了如何利用一系列巧妙的设计与精确的控制,实现对吸附在Cu(100)表面的单个三聚氰胺分子疏运性质的有效调控。室温下三聚氰胺分子吸附到Cu(100)表面时会与表面反应脱去两个氢原子,从而与表面铜原子成键形成与表面垂直的吸附构型。分子的输运曲线表现为正负电压下对称的特征。通过扫描探针对其操控诱导了三聚氰胺分子的异构化,其电子输运特性显示出明显的整流效应。扫描探针注入的非弹性隧穿电子可以进一步诱导其顶端N-H键的可逆转动,引起电流在低电导和高电导间转换,实现了单分子机械开关效应。从而在单个分子结构上既实现整流效应又实现机械开关效应,实现了在单个分子上的双功能集成。     

预应力混凝土箱梁桥桥墩位移事故机理分析

针对桥墩位移事故致因的复杂性及分析过程的不确定性,以某预应力混凝土箱梁桥桥墩因上游侧的新填土造成堆载作用导致土体侧向位移影响桩基受力的位移事故项目为研究对象,通过现场检测、监测及理论分析了与数值模拟相结合的综合分析方法,模拟并分析桥墩位移事故的致因,梳理病害产生的内在机理。结合现场实际情况,以分级处理为处置原则,采用桩基顶推、墩顶牵引、设抗滑桩、平衡堆载等组合措施进行纠偏处理并对病害进行整治,使桥墩偏位回归至允许范围内,缺陷得到修复。在纠偏处理过程中对桥墩、抗滑桩和锚杆等进行动态监控,结果表明,各项位移指标符合要求,事故分析过程准确,所采取的方案有效合理,处置效果良好。该研究为同类事故事后调查及病害成因分析、纠偏处置提供了参考。     

160t铁路铺架机可控硅整流系统移相触发控制器

本文介绍可用于可控硅自动控制系统的一种新型移相触发控制器。这种控制器集成度高，结构简单，调整方便，功耗小，可用于逻辑无环流和错位选触无环流的可逆或不可逆系统中，还可用于双反星形可控整流电路、十二相整流电路等电路中     

空分精馏过程的仿真计算

从Hamens物性方程出发，依据Or-Ar-N2三元物系气-液平衡关系，对通用模型塔建立统一的数学模型和求解方法，在此基础上开发了空分单塔及精馏系统的计算模型并对填料塔精馏过程进行了探讨和计算．通过宝钢5#空分精馏系统的模拟计算，说明该模型能够准确地描述精馏过程各参数变化．     

新挡板塔盘在醋酸乙烯生产上应用

新精馏二塔采用L角钢挡板筛板塔盘新结构用于分离VAC—HAC物系,工业生产表明:塔径小、生产能力大、传质效率高、分离效果好、压降小、回沈比小、弹性大、VAC产量增收、节约原材料能耗、经济效益显著,可在化学工业上推广应用.     

多晶硅薄膜和金属铝接触的研究

研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。     

三维Minkowski空间中非类光曲线的从切可展曲面的奇点分类

给出了曲线的法向距离函数概念,建立了由此函数诱导的奇点和曲线的几何不变量之间的联系,并且给出了三维Minkowski空间中非类光曲线的从切可展曲面的奇点分类.     

RE-1型整流装置效率测量仪

本文叙述了用差值法研制的RE-1型整流装置效率测量仪的电路原理.文中对测量仪进行了校验,测试数据表明,该仪器在20～100%的功率满度范围内,相对误差小于0.5%.