超宽范围可变速率时钟恢复技术及其实现

针对多种速率卫星信号的接收,提出并实现了一种针对QPSK信号的20 Mbps~320 Mbps超宽范围可变速率的数字时钟恢复算法。基于直接数字频率合成技术,该算法利用超前-滞后型鉴相器组成时钟恢复数字锁相环路,并采用由时域分析得到的一些方法扩大捕捉范围、降低时钟抖动。计算机仿真和硬件实现的结果验证了该算法具有超宽的捕捉范围和良好的时钟抖动性能。     

地磅销售智能卡网络管理系统

针对单机版的地磅销售系统已不再适用多磅联合销售的状况,开发了网络版地磅销售系统,引进现代化的智能红外线车辆监控报警系统,应用计算机网络技术、IC卡刷卡技术、红外线扫描技术、起落杆控制技术,实现了对出入门口的车辆的监控,不仅有效利用地磅销售资源,而且防止了过去大量丢失煤炭的现象,保证了企业的经济效益。     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

去除硅石中气液包裹体的研究

利用差异腐蚀方法对各种石英矿物进行处理 ,结果表明 ,去除气液包裹体的效果明显 ,同时还发现 ,通过测定石英颗粒在浸油中的光透过率 ,能够检验石英矿物气液包裹体被去除的程度。这对于深入研究硅石代替水晶技术有重要意义     

X射线与胶片作用的定量分析

介绍一种测定工业射线胶片重要参数 (感光度、平均斜率及增感系数 )的方法 .通过一次射线曝光获得 14对光学密度与曝光量的对应值 ,用这一组数据就可得到一条完整的特性曲线 ,从曲线上可求出胶片的感光度、平均斜率、灰雾度、宽容度和最大黑度 (即最大光学密度 )等参数 .如果曝光时在胶片的一半加上增感屏 ,还可同时获得有增感屏时的特性曲线 ,从两条曲线上可求出胶片加铅箔增感屏的增感系数 .测量了不同电压下的增感系数 ,结果表明 ,随着管电压的增加 ,2 0 0kV后 ,增感系数快速增加 .     

一种用于外形参数诊断的三维系统的设计与应用

使用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件,设计了一种三维非接触高精确度的光学测量系统,用于不规则三维物体参数的测量,并将这一测试系统应用前景作了展望.     

层速度的tomography反演

讨论了地震层析成像中的几个重要问题。采用Ｂ－样条的线性组合表示展速度模型，用Ｂ－样条的光滑性和紧支柱性质，在保持模型光滑的条件下，把积分几何的反问题转化为求解大型、稀疏线性方程组问题。提出了二步射线追踪算法，解决了现有方法的不收敛或遗漏射线问题。讨论了图像在投影方向上的频谱和图像频谱的关系，阐明了投影的角度和投影的疏密对图像重建的影响，文中给出仿真及实际地震资料的实验结果。     

硫甙快速测定仪的研制

作者研制的便携式小型硫甙速测仪,系选用新颖的小型单色光组件制成的双光源固相吸光测量仪器.本文并对其测量原理、仪器结构与技术指标作了介绍.     

Design of a CMOS Adaptive Charge Pump with Dynamic Current Matching

A novel structure for a charge pump circuit is proposed, in which the charge-pump （CP） current can adaptively regulated according to phase-locked loops （PLL） frequency synthesis demand. The current follow technology is used to make perfect current matching characteristics, and the two differential inverters are implanted to increase the speed of charge pump and decrease output spur due to theory of low voltage difference signal. Simulation results, with 1st silicon 0. 25μm 2. 5 V complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） mixed-signal process, show the good current matching characteristics regardless of the charge pump output voltages.     

纳米复合永磁合金Nd9Fe85-xB6Mnx的XAFS研究

为了研究淬火速度及Mn掺杂对纳米复合Nd-Fe－B磁性材料微结构的影响,利用XAFS技术对不同淬火速度的Nd9Fe84.5B6Mn0.5样品及退火和未退火的Nd9Fe84.5B6Mn0.5（x－0．5和1．0）样品,进行了Fe原子局域结构的分析。结果表明,纳为复合Nd9Fe84.5B6Mn0.5噘性材料随着淬火速度的增另,Fe原子的最近邻配位距离单上,而配位无序度的变化较为复杂。退火前,掺杂微量Mn原子进入磁体的Nd2Fe14B主相晶体结构,掺杂量不同对主相局域结构的影响有明显差异。退火后,Mn原子退出磁体的主相结构,进入晶界或产生富集,没有发现掺杂量不同对主相局域 结构的影响,但对整个磁体的磁性仍然有不同的影响。