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111.
刺五加总苷提取工艺研究 总被引:10,自引:0,他引:10
采用L9(3^4)正交试验法考察刺五加总苷提取的各影响因素(A乙醇体积分数、B溶剂量、C提取次数),以多指标(刺五加总苷收率、丁香苷质量分数以及浸膏得率)综合评分法进行直观分析及方差分析,确定最佳提取工艺条件.试验结果表明影响刺五加总苷提取的主要因素为B(溶刑量),优选出最佳提取工艺条件为A1B3C1,即乙醇体积分数60%,10倍量,提取2次,每次1h.此工艺简单易行,稳定可行,适于工业化生产。 相似文献
112.
以绿原酸得率为指标,采用正交试验设计及高效液相法(HPLC)考察了影响泌炎康胶囊提取工艺的因素(A煎煮次数、B煎煮时间和C加水量).分析后确定影响泌炎康胶囊提取工艺的主要因素为A(煎煮次数)和B(煎煮时间),优选出最佳提取工艺为煎煮2次,每次加水12倍,煎煮1h.试验证明,该工艺合理可靠,提取效率较高。 相似文献
113.
通电加热制作大米粉凝胶的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
以大米凝胶为研究对象,以正交法为实验设计方案,以物料比、食盐用量、电压、加热时间为指标,研究了通电加热制作大米凝胶过程中的物料比、食盐用量、电压、加热时间与大米凝胶感官品质之间的关系.结果表明,大米凝胶的最佳工艺条件为:料液质量比1:3.5,食盐质量分数0.4%,电压100 V,加热时间为15 min.为推动通电加热技术在我国的推广和应用起到了积极的作用. 相似文献
114.
以2×2多输入多输出正交频分复用(MIMO-OFDM)非盲信道估计方法为研究对象,分析了该系统中基于时域训练序列,结合空时分组码的直接判决信道估计方法和基于Wiener内插的信道估计方法仿真比较了其性能。结果表明,当多普勒频移较小时,可采用简单的直接判决方法进行信道估计;多普勒频移较大时,宜采用维纳内插方法进行信道估计,且可以提高信道估计精度。 相似文献
115.
116.
通过理论分析和数值计算,对比分析在路堤荷载作用下含有连续和不连续硬壳层的水平层状软基的破坏模式,针对路堤坡脚外硬壳层不连续的情况(如存在鱼塘等),提出以局部剪切破坏模式失稳的破坏模式判定参数,即临界距离L_(cr);借助正交试验原理,对L_(cr)的影响因素进行分析,给出各因素的敏感性顺序;利用逐步回归迭代方法,分别给出上限临界距离L_(cr U)和下限临界距离L_(cr D)的数学表达公式,并根据工程实例的验算论证了其可靠性。结果表明:在路堤荷载作用下,硬壳层连续时软基为整体剪切破坏;硬壳层不连续时,当不连续断面与坡脚的距离小于L_(cr U)或大于L_(cr D)时软基为整体剪切破坏,当不连续断面与坡脚的距离大于L_(cr U)且小于L_(cr D)时软基为局部剪切破坏。硬壳层厚度为L_(cr)的主要影响因素,软土层厚度为次要因素,硬壳层内摩擦角和黏聚力对其影响较小。 相似文献
117.
设整数k0,n≥2,简单正交多阵SOMA(k,n)是一个n×n的方阵A,它的每一个单元格包含kn-元集S的一个k-元子集且满足:1)S的每个元素在A的每一行和每一列恰好出现一次;2)S的每个2-元子集至多出现在A的一个单元格中.总结了SOMA(k,n)存在的最新结果,并且阐述了它和相互正交拉丁方之间的关系,同时通过直接构造的方法证明了n≥5,SOMA(4,n)的存在性,并且提出了进一步研究的问题. 相似文献
118.
以裂殖壶藻为原料,分别以甲醇和乙醇作为携带剂,通过索氏萃取法进行萃取对比,得出最佳的携带剂,然后进行超声波萃取。结果表明:以乙醇为携带剂的萃取率更高,索氏萃取微藻粗脂的最优条件(时间8 h,温度100℃,液固比10∶1)下可得最大萃取率为30.5%;以乙醇为携带剂,超声波萃取的最优条件(时间2 h,温度40℃,液固比120∶1,超声波功率600 W)下可得最大萃取率为53.5%。从微藻粗脂萃取率的角度来看,超声波法优于索氏萃取法。 相似文献
119.
为了使声波产生不同于传统天然声学材料的反常传输特性,采用COMSOL有限元方法模拟了声波在局域共振型声子晶体中的传播特性,给出了二维三组元局域共振型声子晶体的振动机制,并以原胞为基础构建了三角形阵列的声学超材料模型,探究声波与该模型内原胞间的局域共振特性。仿真结果表明,从三角阵列模型底边入射的平面点状及线状激励声源在受到模型的调控后都会重新在顶角处汇聚成焦点;通过入射由三角阵列构成的矩形模型能实现点源的低损耗搬移效果;将两至三个相同的三角阵列组合成平行四边形和梯形模型后会产生平面声波的变向传输。模拟结果显示,此种以原胞为基础的三角形声学超材料阵列模型,在共振频率下会产生反常声学现象,并且随着模型构造的改变,其共振特性也会随之变化,产生不同的反常声学现象。研究结果可为声隐身、声探测及声波低损耗定向传输等研究提供新思路。 相似文献
120.
为了提高CdS光敏层在TiO2一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO2种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO2一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO2纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO2一维纳米阵列中生长CdS光敏层。采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO2/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究。结果表明,低密度TiO2纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO2纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO2纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO2一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7 h所得到的TiO2/CdS复合膜具有最高光电流。所制备的CdS修饰低密度TiO2纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景。 相似文献